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公开(公告)号：CN106783651A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510808522.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种确定半导体器件失效位置的方法，包括步骤S1：对所述半导体器件进行失效位置分析，以找到目标位置；步骤S2：在所述目标位置所在的平面上、在所述目标位置的周围制作若干第一标识，以标记所述目标位置；步骤S3：以所述第一标识为标记对所述目标位置进行定位，并在所述半导体器件中制备包含所述目标位置的切片样品，露出所述切片样品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二标识，以在失效分析中定位所述目标位置；步骤S4：将包含所述目标位置和所述第二标识的切片样品从所述半导体器件中分离，以得到独立的切片样品；步骤S5：根据所述第二标识的位置确定所述目标位置，并对所述目标位置进行TEM分析。
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