公开(公告)号：CN102104017A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010547502.8

申请日：2010-11-16

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 洪根深 ,  顾爱军 ,  陈正才 ,  李俊

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种CMOS有源区隔离工艺，其包括如下步骤：a、提供第一导电类型衬底，并形成第二导电类型阱区；b、第一导电类型衬底上依次设置第一阻挡层及第二阻挡层；c、涂布光刻胶，并去除场区上的光刻胶；d、去除场区上的第二阻挡层及第一阻挡层；e、在场区上刻蚀形成隔离沟槽；f、设置第一侧墙层及第二侧墙层；g、去除有源区及隔离沟槽槽底上相应的第二侧墙层，在隔离沟槽内形成对应分布的侧墙；h、在场区上氧化得到隔离层；i、去除有源区上相应的第一侧墙层及第二阻挡层，并除去第一导电类型衬底上场区相对应的侧墙；j、去除第一导电类型衬底上的第一阻挡层。本发明工艺操作简单，鸟嘴减小，满足深亚微米COMS工艺的隔离要求。

公开(公告)号：CN105448978A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610008449.1

申请日：2016-01-06

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 于宗光 ,  马慧红 ,  李海欧 ,  黄伟 ,  王成 ,  顾爱军 ,  唐剑平

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明公开了一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法，属于高性能半导体集成的技术领域。外延层结构，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。利用本发明的外延层结构成功外延了二维电子气浓度高且沟道电子迁移率大的mHEMT器件。

公开(公告)号：CN102254941A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110217879.1

申请日：2011-08-01

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 戴昌梅 ,  郑若成 ,  徐政 ,  顾爱军

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/45 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种多晶发射极三极管结构及其制备工艺，其在半导体三极管的截面上，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔；所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。本发明工艺步骤简单，提高多晶发射极三极管的使用范围，降低加工成本。