公开(公告)号：CN101740428A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910264970.1

申请日：2009-12-15

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 戴昌梅 ,  李俊

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种本发明涉及集成电路的生产方法，具体地说是一种用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，本发明可以解决芯片键合工艺中铜丝键合要求的压焊块区域厚金属的问题。本发明通过在钝化层上溅射一层厚度为2μm的第二铝层，使第一铝层与第二铝层作为金属焊块部分的整体厚度为3μm，达到铜丝焊压技术的要求。本发明节约成本，便于实现焊接技术的自动化，可以减缓金属化合物的生成，提高键合强度，保证了小尺寸芯片的电路特性，工艺简单，操作方便。

公开(公告)号：CN102270578A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110217320.9

申请日：2011-08-01

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 于宗光 ,  张明 ,  戴昌梅 ,  吴晓鸫

IPC分类号： H01L21/316

摘要： 本发明涉及一种掺杂衬底上的超薄SiO2生长工艺，其包括如下步骤：a、提供需要生长超薄SiO2层的半导体基板；b、去除半导体基板表面的自然氧化层；c、向氧化炉管内以10~18L/min的速度通入氮气，并将上述清洗后的半导体基板通过反应舟送入氧化炉管内，且使半导体基板生长厚度均匀的SiO2层；d、当氧化炉管的温度在650℃~750℃时，使氧化炉管的温度保持10~30min；e、当氧化炉管的温度稳定后，向氧化炉管内通入O2，N2与O2混合后，半导体基板在氧化炉管内生长20~40分钟生长SiO2层，N2与O2在氧化炉管内混合的体积比为10：1~100：1。本发明能满足大电容电路产品和ONO反熔丝器件的制作要求，提高了工艺产能，稳定性及可控性好。

公开(公告)号：CN101740428B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910264970.1

申请日：2009-12-15

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 戴昌梅 ,  李俊

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种集成电路的生产方法，具体地说是一种用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺，本发明可以解决芯片键合工艺中铜丝键合要求的压焊块区域厚金属的问题。本发明通过在钝化层上溅射一层厚度为2μm的第二铝层，使第一铝层与第二铝层作为金属焊块部分的整体厚度为3μm，达到铜丝焊压技术的要求。本发明节约成本，便于实现焊接技术的自动化，可以减缓金属化合物的生成，提高键合强度，保证了小尺寸芯片的电路特性，工艺简单，操作方便。

公开(公告)号：CN102254941A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110217879.1

申请日：2011-08-01

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 戴昌梅 ,  郑若成 ,  徐政 ,  顾爱军

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/45 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种多晶发射极三极管结构及其制备工艺，其在半导体三极管的截面上，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔；所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。本发明工艺步骤简单，提高多晶发射极三极管的使用范围，降低加工成本。