-
公开(公告)号：CN102254941A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110217879.1
申请日：2011-08-01
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/45 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种多晶发射极三极管结构及其制备工艺，其在半导体三极管的截面上，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔；所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。本发明工艺步骤简单，提高多晶发射极三极管的使用范围，降低加工成本。
-
公开(公告)号：CN102260860B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110217318.1
申请日：2011-08-01
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
IPC分类号： C23C16/34
摘要： 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。本发明采用常用器件制作中的工艺流程，完全和MOS工艺流程兼容；工艺简单，一旦DCS和NH3的流量设定，生长时间设定，生长氮化硅层稳定可控，可用于制备SONOS结构的氮化硅层。
-
公开(公告)号：CN102260860A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110217318.1
申请日：2011-08-01
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
IPC分类号： C23C16/34
摘要： 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。本发明采用常用器件制作中的工艺流程，完全和MOS工艺流程兼容；工艺简单，一旦DCS和NH3的流量设定，生长时间设定，生长氮化硅层稳定可控，可用于制备SONOS结构的氮化硅层。
-
-
搜索结果
3 条记录 (耗时 0.025 秒)
