公开(公告)号：CN102260860B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110217318.1

申请日：2011-08-01

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 郭良权 ,  吴晓鸫 ,  郑若成 ,  洪根深

IPC分类号： C23C16/34

摘要： 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。本发明采用常用器件制作中的工艺流程，完全和MOS工艺流程兼容；工艺简单，一旦DCS和NH3的流量设定，生长时间设定，生长氮化硅层稳定可控，可用于制备SONOS结构的氮化硅层。

公开(公告)号：CN102260860A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110217318.1

申请日：2011-08-01

申请人： 无锡中微晶园电子有限公司

发明人： 郭良权 ,  吴晓鸫 ,  郑若成 ,  洪根深

IPC分类号： C23C16/34

摘要： 本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。本发明采用常用器件制作中的工艺流程，完全和MOS工艺流程兼容；工艺简单，一旦DCS和NH3的流量设定，生长时间设定，生长氮化硅层稳定可控，可用于制备SONOS结构的氮化硅层。