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公开(公告)号：CN114522918A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111330797.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片表面粘附物的全面清洗装置及其使用方法，涉及单晶硅片技术领域。本发明包括清洗箱和硅片本体，清洗箱的顶部安装有用于清洗硅片本体的清洗机构，清洗箱的内部安装有用于清洁硅片本体表面的清洁机构，清洗箱的内部还安装有固定箱。本发明通过清洁机构，清扫盘的旋转和运动的轨迹，能够更好的对硅片本体表面进行清扫，减少后续清洗的工作量，通过夹持机构，能够更好的对硅片本体进行夹持，且通过旋转机构，使得本装置能够对硅片本体的两个面进行清扫，减少人工翻面的工作量，通过去除静电机构，能够减少硅片本体表面的静电，减少硅片本体对附着物的吸附力。
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公开(公告)号：CN114102403A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111330781.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单硅晶片表面抛光装置及使用方法，涉及单硅晶片技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：抛光机构、横向移动机构、垂直移动机构、硅片固定机构、角度调节机构和硅片传动机构。本发明通过各个配件的配合，能够有效的对单硅晶片的各个角度进行抛光打磨，且通过启动硅片传动机构带动单硅晶片进行往复移动，能够使抛光机构较为均匀的对单硅晶片进行打磨，从而大大的提升单硅晶片的表面光滑度，且通过设置可调节传动板能够较为简单的调节角度调节机构的移动行程，适用于不同尺寸的单硅晶片，简化了操作的工序。
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公开(公告)号：CN115791502A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211338697.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，属于碳化硅领域，一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，包括有以下步骤：S1、碳化硅微粉取样，在碳化硅微粉中均匀设置多个取样点进行取样，并将取出的样品进行混合重新分配，形成微粉基础样品，并对其重量进行记录；S2、粒度筛分，利用不同的粒度筛分别对多个微粉基础样品进行粒度筛分，形成粒度一样品、粒度二样品和粒度三样品，并计算各粒度的均匀占比值；S3、取样称重，分别对上述步骤中的多个粒度一样品、多个粒度二样品和多个粒度三样品进行堆积取样；S4、干燥处理；S5、粒度水分计算，它可以实现，能够准确的对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测。
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公开(公告)号：CN115652433A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407190.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体加工后冷却方法，属于碳化硅晶体加工领域，一种碳化硅晶体加工后冷却方法，包括有以下步骤：S1：真空静置、在真空环境下对碳化硅晶柱进行静置，直至其初步冷却成形后取出；S2：风力冷却、利用逐渐降低温度的风力对S1中取出的碳化硅晶柱进行降温，风力温度始终低于碳化硅晶柱温度并高于室温；S3：水力冷却、将风力冷却后的碳化硅晶柱放置在储水设备内部的冷却水中，利用冷却水对碳化硅晶柱进行降温；S4：冰沙冷却、将水力冷却后的碳化硅晶柱放置进入冰块内部，它可以实现，在碳化硅晶柱的不同温度区间利用风力、水和冰对碳化硅晶柱进行降温，提升降温效率。
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公开(公告)号：CN115646663A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407189.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
IPC: B03D1/02 , B03B1/00 , C01B32/956 , C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉用的金属粉末分离工艺，属于碳化硅加工技术领域，包括以下步骤：S1、废砂浆固液分离：采用泵送设备将废砂浆泵送至固液分离装置进行固液分离，获得砂浆沉淀物；S2、清洗：将步骤S1中获得的砂浆沉淀物通过去离子水进行反复清洗、过滤，得到砂浆滤渣；S3、配置浮选液：在浮选剂内部加入捕捉剂、起泡剂以及PH调节剂；S4、滤渣浮选：将步骤S2中的砂浆滤渣烘干、压碎，用比重2.5‑3的泡沫浮选液在超声波震荡辅助下进行浮选；S5、沉淀固体处理；S6、上浮固体处理；它可以实现通过在浮选剂内部添加捕捉剂和起泡剂以及调节PH值来实现将Si粉与SiC二者进行较大程度的分离，从而使得回收的Si粉与SiC纯度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115635410A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211374064.9
申请日：2022-11-03
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片精细磨抛设备及磨抛工艺，属于碳化硅晶片加工领域，一种碳化硅晶片精细磨抛设备，包括磁力抛光机构和晶片运输机构，晶片运输机构包括有运输带组件和装配在运输带组件上的多个夹持机构，夹持机构包括有夹具座，夹具座通过连接支架连接在运输带组件上，夹具座上固定连接有多个夹具和用于依次对多个夹具进行开启和关闭的启停组件，夹具包括有定位杆，定位杆靠近夹具座的杆体水平固定连接在夹具座的外侧，定位杆远离夹具座的杆体朝下侧弯曲，它可以实现，连续性的完成对晶片的进料、打磨抛光和出料工作，在提升打磨抛光效率的同时实现无死角精细打磨。
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公开(公告)号：CN115672541A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211383433.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，属于半导体材料加工领域，一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，包括有以下步骤：S1、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；S2、碳化硅锭分级，利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；S2、尺寸筛分，对碳化硅锭的尺寸进行筛分，筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭；S3、质量检测；它可以实现，在利用紫外线对碳化硅锭进行细筛之前，通过磁力快速地对碳化硅锭进行粗筛，有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量，从而能够快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。
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公开(公告)号：CN115591845A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211349568.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅废料回收用清洗装置及其使用方法，属于碳化硅回收领域，一种碳化硅废料回收用清洗装置，包括安装板，所述安装板对称设置有两个，两个所述安装板之间左右对称分别活动连接有两个转辊，所述转辊两端分别与两侧安装板活动连接，同侧两个所述转辊侧壁上活动连接有同一个传送带，所述安装板底面固定连接有两个支架，两个所述传送带之间设置有翻料机构，所述安装板顶面固定连接有同一个壳体，它可以实现，采用即时配比清洗剂，即时冲洗的效果，将配比的清洗剂不断输送至水箱中，对碳化硅废料进行冲洗，同时利用翻转机构可增加碳化硅废料冲洗的均匀性。
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公开(公告)号：CN114131492A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111298164.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片抛光装置及其使用方法。一种硅片抛光装置及其使用方法，包括加工外壳，加工外壳的两端均固定有立柱，两个立柱的顶端装配有一个固定下压机构，固定下压机构用于固定硅片并带动硅片进行移动，加工外壳内部中心处固定有电动机一。本发明通过除胶组件的结构设计，使得装置在更换抛光垫的时候能够方便快捷的对固定底盘上残留的胶体进行清洗，避免影响更换后的抛光垫的牢固度，也避免因为残留胶体导致更换的抛光垫会有凸起影响抛光；通过清理组件的结构设计，使得装置在清洗因抛光液残留物形成的沉淀物时，较为方便快捷。
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公开(公告)号：CN115741363A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211349596.7
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置，属于碳化硅加工领域，一种碳化硅打磨得疏水疏油加工装置，包括圆壳，所述圆壳顶面为开口设置，所述圆壳内腔靠近底面处活动连接有放置板，所述放置板顶面设置有粘合层，所述圆壳底面设置有驱动机构，所述圆壳底面开设有若干个通孔，所述圆壳侧壁上设置有夹持打磨机构，所述圆壳侧壁靠近顶面处安装有支架，所述支架呈U形设置，所述支架顶面安装有气缸，所述气缸输出端贯穿支架并与其活动连接，所述气缸底端设置有缓冲机构，它可以实现，对碳化硅晶体进行多面打磨操作，尤其针对毛坯晶体打磨具有良好的效果，同时可快速调整打磨组件的间距，适用于不同大小的晶体。
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