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公开(公告)号：CN115637497A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211338658.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2‑5cm；每层晶体之间采用耐热高分子材料(聚酰亚胺)进行分隔，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。
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公开(公告)号：CN115591857A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211369582.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法，属于硅单晶设备技术领域，包括壳体以及设置在壳体正面的控制模块，所述壳体内部安装有清洗槽，所述清洗槽通过设置有活动支撑机构可拆卸安装有清洗支架，所述清洗支架内部等距设置有分隔板，所述分隔板将所述清洗支架内部分隔形成多个空腔，所述空腔内部活动安装有用于碳化硅籽晶清洗用的夹持机构，所述夹持机构包括两组对称设置的夹持组件，所述壳体底面与所述夹持组件相匹配设置有冲洗组件；它可以实现利用超声清洗，并将碳化硅籽晶单独放置分离放置，避免发生相互干扰，并且在清洗时利用清洗冲击力使得碳化硅籽晶多角度旋转，避免产生清洗死角，使得清洗更加彻底。
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公开(公告)号：CN114227420A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111298044.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片打磨处理装置及使用方法，涉及硅片打磨技术领域。本发明包括打磨下座、传动转动盘和打磨上座，打磨下座和打磨上座之间通过多个C形连接件固定连接，传动转动盘转动连接在打磨下座和打磨上座之间，传动转动盘的内部开设有多个硅片限位腔，用以对硅片进行限位，打磨上座的一侧开设有工作区，打磨下座的内部开设有硅片下料口，传动转动盘还配套设置有转动盘传动机构，用以带动传动转动盘进行转动，硅片处理装置还包括有第一硅片打磨机构和第二硅片打磨机构。本发明通过各个配件的配合能够自动对硅片原料进行三次打磨，打磨完成后能够自动出料，且能够通过多种打磨方式对硅片原料进行打磨，从而大大的提升打磨的效果。
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公开(公告)号：CN114199165A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111298169.6
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片的制造装置及其使用方法，涉及硅片制造技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：硅片固定机构，用以对硅片进行自动定位和固定；硅片固定机构包括有硅片吸附机构，硅片吸附机构用以对硅片进行固定，硅片吸附机构配套设置有硅片定位机构；转动机构，用以带动硅片固定机构进行转动；硅片检测机构，用以对硅片的平整度进行检测。本发明通过各个配件的配合，能够自动对硅片进行定位和吸附，并通过带动硅片进行匀速转动，配合硅片检测机构能够有效的对硅片侧壁的平整度进行检测，有效的避免了因为硅片偏位而导致的检测结果出现错误，从而大大的提升了检测的准确率，且检测的难度较低，为使用者带来极大的便利。
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公开(公告)号：CN105936096A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610460087.X
申请日：2016-06-23
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
CPC classification number: B28D5/04 , B28D5/0023 , B28D5/0058
Abstract: 本发明提供了一种金刚线数控收放线装置，其结构简单，可有效防止金刚线之间产生摩擦，减少金刚砂剥落，节省线材，大大延长金刚线往复使用寿命，提高金刚线强度以及加工效率，从而提高硅块切片的成品率；收、放线管理装置设置于机床内一端的两侧，机床内另一端两侧分别设置有导轮，放线管理装置上方设置有放线走线轮、放线张力轮，收线管理装置上方设置有收线走线轮、收线张力轮，在一个导轮起始端设有放线过线轮，另一个导轮末端的上方设有收线过线轮，收、放线管理装置均为分段式一体结构，放线管理装置包括放线匝、放线布线匝，收线管理装置包括收线匝、收线布线匝，在导轮之间、放线布线匝、收线布线匝上的金刚线均为单层布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115791502A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211338697.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，属于碳化硅领域，一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法，包括有以下步骤：S1、碳化硅微粉取样，在碳化硅微粉中均匀设置多个取样点进行取样，并将取出的样品进行混合重新分配，形成微粉基础样品，并对其重量进行记录；S2、粒度筛分，利用不同的粒度筛分别对多个微粉基础样品进行粒度筛分，形成粒度一样品、粒度二样品和粒度三样品，并计算各粒度的均匀占比值；S3、取样称重，分别对上述步骤中的多个粒度一样品、多个粒度二样品和多个粒度三样品进行堆积取样；S4、干燥处理；S5、粒度水分计算，它可以实现，能够准确的对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测。
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公开(公告)号：CN115652433A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407190.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体加工后冷却方法，属于碳化硅晶体加工领域，一种碳化硅晶体加工后冷却方法，包括有以下步骤：S1：真空静置、在真空环境下对碳化硅晶柱进行静置，直至其初步冷却成形后取出；S2：风力冷却、利用逐渐降低温度的风力对S1中取出的碳化硅晶柱进行降温，风力温度始终低于碳化硅晶柱温度并高于室温；S3：水力冷却、将风力冷却后的碳化硅晶柱放置在储水设备内部的冷却水中，利用冷却水对碳化硅晶柱进行降温；S4：冰沙冷却、将水力冷却后的碳化硅晶柱放置进入冰块内部，它可以实现，在碳化硅晶柱的不同温度区间利用风力、水和冰对碳化硅晶柱进行降温，提升降温效率。
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公开(公告)号：CN115646663A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211407189.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
IPC: B03D1/02 , B03B1/00 , C01B32/956 , C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅微粉用的金属粉末分离工艺，属于碳化硅加工技术领域，包括以下步骤：S1、废砂浆固液分离：采用泵送设备将废砂浆泵送至固液分离装置进行固液分离，获得砂浆沉淀物；S2、清洗：将步骤S1中获得的砂浆沉淀物通过去离子水进行反复清洗、过滤，得到砂浆滤渣；S3、配置浮选液：在浮选剂内部加入捕捉剂、起泡剂以及PH调节剂；S4、滤渣浮选：将步骤S2中的砂浆滤渣烘干、压碎，用比重2.5‑3的泡沫浮选液在超声波震荡辅助下进行浮选；S5、沉淀固体处理；S6、上浮固体处理；它可以实现通过在浮选剂内部添加捕捉剂和起泡剂以及调节PH值来实现将Si粉与SiC二者进行较大程度的分离，从而使得回收的Si粉与SiC纯度更高。
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公开(公告)号：CN115635410A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211374064.9
申请日：2022-11-03
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片精细磨抛设备及磨抛工艺，属于碳化硅晶片加工领域，一种碳化硅晶片精细磨抛设备，包括磁力抛光机构和晶片运输机构，晶片运输机构包括有运输带组件和装配在运输带组件上的多个夹持机构，夹持机构包括有夹具座，夹具座通过连接支架连接在运输带组件上，夹具座上固定连接有多个夹具和用于依次对多个夹具进行开启和关闭的启停组件，夹具包括有定位杆，定位杆靠近夹具座的杆体水平固定连接在夹具座的外侧，定位杆远离夹具座的杆体朝下侧弯曲，它可以实现，连续性的完成对晶片的进料、打磨抛光和出料工作，在提升打磨抛光效率的同时实现无死角精细打磨。
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公开(公告)号：CN104552634A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410800912.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
CPC classification number: B28D5/045 , B28D5/0058
Abstract: 本发明提供了一种新型数控金刚线蓝宝石切片机，其简化了锯削工艺，提高了切片机的加工效率，成品质量高，从而实现了降低生产成本，增加经济效益的目的，其包括机架，机架上设置有进给机构，所述进给机构上设置有装夹夹具，其特征在于：所述机架上设置有摇摆机构，所述摇摆机构位置对应所述进给机构，所述摇摆机构上设置有两个引线导轮结构，金刚线保持间距地依次多次卷绕在两个所述引线导轮结构上。
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