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公开(公告)号：CN115672541A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211383433.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，属于半导体材料加工领域，一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，包括有以下步骤：S1、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；S2、碳化硅锭分级，利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；S2、尺寸筛分，对碳化硅锭的尺寸进行筛分，筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭；S3、质量检测；它可以实现，在利用紫外线对碳化硅锭进行细筛之前，通过磁力快速地对碳化硅锭进行粗筛，有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量，从而能够快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。
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公开(公告)号：CN115591845A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211349568.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅废料回收用清洗装置及其使用方法，属于碳化硅回收领域，一种碳化硅废料回收用清洗装置，包括安装板，所述安装板对称设置有两个，两个所述安装板之间左右对称分别活动连接有两个转辊，所述转辊两端分别与两侧安装板活动连接，同侧两个所述转辊侧壁上活动连接有同一个传送带，所述安装板底面固定连接有两个支架，两个所述传送带之间设置有翻料机构，所述安装板顶面固定连接有同一个壳体，它可以实现，采用即时配比清洗剂，即时冲洗的效果，将配比的清洗剂不断输送至水箱中，对碳化硅废料进行冲洗，同时利用翻转机构可增加碳化硅废料冲洗的均匀性。
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公开(公告)号：CN114131492A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111298164.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片抛光装置及其使用方法。一种硅片抛光装置及其使用方法，包括加工外壳，加工外壳的两端均固定有立柱，两个立柱的顶端装配有一个固定下压机构，固定下压机构用于固定硅片并带动硅片进行移动，加工外壳内部中心处固定有电动机一。本发明通过除胶组件的结构设计，使得装置在更换抛光垫的时候能够方便快捷的对固定底盘上残留的胶体进行清洗，避免影响更换后的抛光垫的牢固度，也避免因为残留胶体导致更换的抛光垫会有凸起影响抛光；通过清理组件的结构设计，使得装置在清洗因抛光液残留物形成的沉淀物时，较为方便快捷。
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公开(公告)号：CN108582539A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810796577.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数控单晶硅剖方机，包括床身，所述床身上通过立柱设有沿其运动的工作台，立柱外顶部通过第一直线导轨连接有工作台移动机构，工作台的两端分别安装自动夹紧机构和自动分度旋转机构，自动夹紧机构上安装有晶线检测装置；床身的中部安装上、下料滑台机构，位于其一侧的床身上设有切割线架，位于上、下料滑台机构另一侧的床身上设有两个收放线架，分别固定于工作台的两侧，每个收放线架内下部安装有收放线机构，上部安装有排线模组、张力摆臂装置和第一过线轮，顶部安装有电箱；床身一侧安装废料输送机构，所述立柱的顶部安装有操纵箱；本发明提高了单晶硅开方的加工效率和质量，节约人力和生产成本，增加了经济效益。
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公开(公告)号：CN115637497A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211338658.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2‑5cm；每层晶体之间采用耐热高分子材料(聚酰亚胺)进行分隔，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115591857A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211369582.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅籽晶的多角度清洗装置及其使用方法，属于硅单晶设备技术领域，包括壳体以及设置在壳体正面的控制模块，所述壳体内部安装有清洗槽，所述清洗槽通过设置有活动支撑机构可拆卸安装有清洗支架，所述清洗支架内部等距设置有分隔板，所述分隔板将所述清洗支架内部分隔形成多个空腔，所述空腔内部活动安装有用于碳化硅籽晶清洗用的夹持机构，所述夹持机构包括两组对称设置的夹持组件，所述壳体底面与所述夹持组件相匹配设置有冲洗组件；它可以实现利用超声清洗，并将碳化硅籽晶单独放置分离放置，避免发生相互干扰，并且在清洗时利用清洗冲击力使得碳化硅籽晶多角度旋转，避免产生清洗死角，使得清洗更加彻底。
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公开(公告)号：CN114227420A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111298044.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片打磨处理装置及使用方法，涉及硅片打磨技术领域。本发明包括打磨下座、传动转动盘和打磨上座，打磨下座和打磨上座之间通过多个C形连接件固定连接，传动转动盘转动连接在打磨下座和打磨上座之间，传动转动盘的内部开设有多个硅片限位腔，用以对硅片进行限位，打磨上座的一侧开设有工作区，打磨下座的内部开设有硅片下料口，传动转动盘还配套设置有转动盘传动机构，用以带动传动转动盘进行转动，硅片处理装置还包括有第一硅片打磨机构和第二硅片打磨机构。本发明通过各个配件的配合能够自动对硅片原料进行三次打磨，打磨完成后能够自动出料，且能够通过多种打磨方式对硅片原料进行打磨，从而大大的提升打磨的效果。
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公开(公告)号：CN114199165A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111298169.6
申请日：2021-11-04
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅片的制造装置及其使用方法，涉及硅片制造技术领域。本发明包括机身主体，还包括有：硅片固定机构，用以对硅片进行自动定位和固定；硅片固定机构包括有硅片吸附机构，硅片吸附机构用以对硅片进行固定，硅片吸附机构配套设置有硅片定位机构；转动机构，用以带动硅片固定机构进行转动；硅片检测机构，用以对硅片的平整度进行检测。本发明通过各个配件的配合，能够自动对硅片进行定位和吸附，并通过带动硅片进行匀速转动，配合硅片检测机构能够有效的对硅片侧壁的平整度进行检测，有效的避免了因为硅片偏位而导致的检测结果出现错误，从而大大的提升了检测的准确率，且检测的难度较低，为使用者带来极大的便利。
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公开(公告)号：CN108638358A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810795970.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明涉及一种数控多晶硅金刚线高速截断机，包括床身及其两端安装的收放线室，收放线室上部固定安装电箱，床身四个角处分别安装立柱，位于床身两侧的两个立柱间分别通过导轨支架安装有两个工作台，导轨支架与工作台之间通过短钢导轨连接；位于后侧的两个立柱上分别通过直线导轨安装有一块滑动板，滑动板带动固定在其下部的切割线架上下移动，切割线架两端分别安装第一基准电机和第二基准电机，切割线架两侧安装有多个金刚线过线轮，切割线架下方安装多个金刚线切割轮，金刚线从一端的收放线室引出，依次绕过多个金刚线切割轮和金刚线过线轮至另一端的收放线室内。本发明提高了金刚线收放线和布线质量，提高了设备运行稳定性和生产效率。
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公开(公告)号：CN114522918A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111330797.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 无锡上机数控股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片表面粘附物的全面清洗装置及其使用方法，涉及单晶硅片技术领域。本发明包括清洗箱和硅片本体，清洗箱的顶部安装有用于清洗硅片本体的清洗机构，清洗箱的内部安装有用于清洁硅片本体表面的清洁机构，清洗箱的内部还安装有固定箱。本发明通过清洁机构，清扫盘的旋转和运动的轨迹，能够更好的对硅片本体表面进行清扫，减少后续清洗的工作量，通过夹持机构，能够更好的对硅片本体进行夹持，且通过旋转机构，使得本装置能够对硅片本体的两个面进行清扫，减少人工翻面的工作量，通过去除静电机构，能够减少硅片本体表面的静电，减少硅片本体对附着物的吸附力。
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