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公开(公告)号：CN109429529B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201780002328.9
申请日：2017-06-19
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 【课题】抑制具有GaN‑HEMT的电源电路的失灵。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘基板2；形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55；配置在导电图形部51上的GaN‑HEMT10；以及配置在导电图形部52上的GaN‑HEMT20，其中，GaN‑HEMT10的假想线L1与GaN‑HEMT20的假想线L2相交，GaN‑HEMT20的GaN栅电极23经由金属线6与导电图形部55电气连接，金属线6与导电图形部55的边S5以及导电图形部55的导电图形边55S垂直相交。
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公开(公告)号：CN108780786B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201780002105.2
申请日：2017-02-20
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的电子装置具有：基板5；设置在第一导体层上的第一电子元件91；设置在所述第一电子元件上的第二电子元件92；以及具有设置在第二导体层72上的基端部45以及通过导电性接合剂75与所述第二电子元件92的表面电极92a相连接的头部40的连接件50。其中，所述基端部45在所述第二导体层72上的载置面积，比所述头部40在所述第二电子元件92上的载置面积更大。所述基端部45比所述头部40更靠近基板5侧，所述连接件50的重心位置位于所述连接件50的基端部45侧。
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公开(公告)号：CN118676094A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410256212.X
申请日：2024-03-06
Applicant: 新电元工业株式会社
Inventor： 森永雄司
Abstract: 本发明提供一种能够降低寄生电感的半导体模块。本发明的半导体模块具备半导体芯片Q1～Q4、第一电源端子51、第二电源端子52、第一中点端子61以及第二中点端子62，并构成桥接电路，其特征在于：第一电源端子51与第二电源端子52相邻，第一中点端子61与第二中点端子62相邻，在使用时，在第一电源端子51和第二电源端子52处电流逆向流动，并且在第一中点端子61和第二中点端子62处电流逆向流动，第一电源端子51的外引线部和第二电源端子52的外引线部、以及第一中点端子61的外引线部和第二中点端子62的外引线部配置在半导体模块1的相反侧。
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公开(公告)号：CN108738366B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201780003208.0
申请日：2017-02-20
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的电子装置包括：基板5；配置在基板5上的第一导体层71；配置在基板5上的第二导体层72；配置在第一导体层71上的电子元件95；以及将基板5、第一导体层71、第二导体层72、以及电子元件95覆盖的封装部90，其中，在基板5的面内方向，即包含第二导体层72的假想直线VL上未配置有第一导体层71，第二导体层72在被封入封装部90内的同时仅被封装部90所覆盖。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106463415A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031872.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L21/52 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/75314 , H01L2224/7565 , H01L2224/75704 , H01L2224/75754 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制造具有通过金属粒子浆将基板与电子部件接合的构造的接合体的接合体的制造方法，包括：组合体形成工序，形成将电子部件通过所述金属粒子浆载置在基板上的组合体；组合体配置工序，在互相相对配置的两片加热板之间配置组合体；以及接合工序，通过使两片加热板中的至少一片朝另一片移动，从而对组合体加压并加热后将基板与电子部件接合，其中，以通过两片加热板开始对组合体加压时的组合体的温度在0℃～150℃的范围内为条件实施接合工序。根据本发明的接合体的制造方法，由于是以加压开始时的组合体的温度在0℃～150℃的范围内为条件来实施接合工序的，因此在接合工序中，在对组合体进行加压前金属粒子浆就不易引发烧结反应，其结果就是，能够以比以往更高的接合力将基板与电子部件接合。
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公开(公告)号：CN110168388B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780081394.X
申请日：2017-02-20
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 电子装置，具有：封装部90；第一主端子11，从所述封装部90向外侧突出；第二主端子12，从所述封装部90向外侧突出；电子元件95，其正面与所述第一主端子11电连接，背面与所述第二主端子12电连接，且被设置在所述封装部90内；头部40，与所述电子元件95的正面相连接；正面侧传感端子13，从所述封装部90向外部突出，用于传感；以及连接部35，与所述头部40形成为一体，且与所述正面侧传感端子13电连接，其中，流通所述正面侧传感端子13以及所述连接部35内的电流的传感电流流路与流通所述第二主端子12、所述电子元件95以及所述第一主端子11的主电流流路不重复。
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公开(公告)号：CN109429529A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201780002328.9
申请日：2017-06-19
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 【课题】抑制具有GaN-HEMT的电源电路的失灵。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘基板2；形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55；配置在导电图形部51上的GaN-HEMT10；以及配置在导电图形部52上的GaN-HEMT20，其中，GaN-HEMT10的假想线L1与GaN-HEMT20的假想线L2相交，GaN-HEMT20的GaN栅电极23经由金属线6与导电图形部55电气连接，金属线6与导电图形部55的边S5以及导电图形部55的导电图形边55S垂直相交。
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公开(公告)号：CN106463415B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201580031872.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 一种制造具有通过金属粒子浆将基板与电子部件接合的构造的接合体的接合体的制造方法，包括：组合体形成工序，形成将电子部件通过所述金属粒子浆载置在基板上的组合体；组合体配置工序，在互相相对配置的两片加热板之间配置组合体；以及接合工序，通过使两片加热板中的至少一片朝另一片移动，从而对组合体加压并加热后将基板与电子部件接合，其中，以通过两片加热板开始对组合体加压时的组合体的温度在0℃～150℃的范围内为条件实施接合工序。根据本发明的接合体的制造方法，由于是以加压开始时的组合体的温度在0℃～150℃的范围内为条件来实施接合工序的，因此在接合工序中，在对组合体进行加压前金属粒子浆就不易引发烧结反应，其结果就是，能够以比以往更高的接合力将基板与电子部件接合。
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