引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法

    公开(公告)号:CN114171486A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111037742.8

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明提供引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法,它们能够防止接合材料的流出,同时避免形成工序复杂化。其中,引线框架包括:芯片垫,其具有搭载半导体元件的搭载面;凹部,其设于所述搭载面;以及引脚,其配置于所述芯片垫的周围,所述凹部包括:底面,其在从所述凹部的开口面起的深度小于所述芯片垫厚度的位置;多个突起部,其从所述底面突起;以及凹陷部,其从所述底面凹陷。

    引线框架的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1694233A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200510067924.4

    申请日:2005-04-28

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 在由长部件构成的工件10中形成蚀刻图形,其包括用于形成每个都包括引线框架的引线框架片12的图形、以及用于形成连接部分14的图形,连接部分14连接在工件10的长度方向上相邻的引线框架片12的边缘。通过利用该蚀刻图形作为掩模来蚀刻工件10,从而形成长的引线框架体,在所述长的引线框架体中通过连接部分14连接所述引线框架片12。将连接部分从长的引线框架体分离,每个所述连接部分被设置在连接部分14和引线框架片12之间。从而获得引线框架片。

    引线框架
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108461471B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201810135575.2

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 本发明涉及一种引线框架和制造引线框架的方法,所述引线框架包括外框架。所述外框架包括:上表面;下表面,其与所述上表面相对;侧表面,其在所述上表面与所述下表面之间;第一凹部,其形成为从所述上表面延伸到所述侧表面;第二凹部,其形成为从所述下表面延伸到所述侧表面;以及弯曲表面,其位于所述侧表面与所述第一凹部的侧壁之间或所述侧表面与所述第二凹部的侧壁之间。

    引线框架
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108461470B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN201810135204.4

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 本发明涉及一种引线框架和制造引线框架的方法,所述引线框架包括外框架。所述外框架包括:一个表面;另一表面,其与所述一个表面相对;侧表面,其在所述一个表面与所述另一表面之间;凹部,其形成为从所述一个表面延伸到所述侧表面;以及凹口台阶部分,其形成为从所述另一表面延伸到所述侧表面。

    引线框架
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108461470A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810135204.4

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 本发明涉及一种引线框架和制造引线框架的方法,所述引线框架包括外框架。所述外框架包括:一个表面;另一表面,其与所述一个表面相对;侧表面,其在所述一个表面与所述另一表面之间;凹部,其形成为从所述一个表面延伸到所述侧表面;以及凹口台阶部分,其形成为从所述另一表面延伸到所述侧表面。

    引线框架的制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100431119C

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200510067924.4

    申请日:2005-04-28

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 在由长方形部件构成的工件10中形成蚀刻图形,其包括用于形成每个都包括引线框架的引线框架片12的图形、以及用于形成连接部分14的图形,连接部分14连接在工件10的长边方向上相邻的引线框架片12的边缘。通过利用该蚀刻图形作为掩模来蚀刻工件10,从而形成长方形的引线框架体,在所述长方形的引线框架体中通过连接部分14连接所述引线框架片12。将接合部分从长方形的引线框架体分离,每个所述接合部分被设置在连接部分14和引线框架片12之间。从而获得引线框架片。

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