公开(公告)号：CN101840913A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010135849.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  富留宫正之 ,  榊原宽 ,  岩垂史 ,  佐藤启之 ,  江口真 ,  泷雅人 ,  森下英俊 ,  加藤孝三 ,  森本淳

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。

公开(公告)号：CN101840913B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201010135849.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  富留宫正之 ,  榊原宽 ,  岩垂史 ,  佐藤启之 ,  江口真 ,  泷雅人 ,  森下英俊 ,  加藤孝三 ,  森本淳

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/645 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H04L25/0266 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。

公开(公告)号：CN1521840A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200310123255.9

申请日：2003-12-19

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大窪宏明 ,  富留宫正之 ,  山本良太 ,  中柴康隆

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 一种半导体IC器件包括基衬底，基衬底包括P－型硅，第一P+型硅层提供在基衬底上，N+型硅层和第二P+型硅层提供在其上的相同层中。第一P+型硅层和N+型硅层的杂质浓度高于基衬底的杂质浓度。此外，埋入氧化物层和SOI层提供在N+型硅层和第二P+型硅层整个上表面上。第一P+型硅层连接到地电位布线GND，N+型硅层连接到电源电位布线VDD。因此与电源并联连接的去耦电容器形成在P+型硅层和N+型硅层之间。

公开(公告)号：CN101640198A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910164692.2

申请日：2009-07-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。

公开(公告)号：CN1779967A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116170.7

申请日：2005-10-24

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  菊田邦子 ,  山本良太 ,  中山诚

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。

公开(公告)号：CN1319155C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200310123255.9

申请日：2003-12-19

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大窪宏明 ,  富留宫正之 ,  山本良太 ,  中柴康隆

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 一种半导体IC器件包括基衬底，基衬底包括P-型硅，第一P+型硅层提供在基衬底上，N+型硅层和第二P+型硅层提供在其上的相同层中。第一P+型硅层和N+型硅层的杂质浓度高于基衬底的杂质浓度。此外，埋入氧化物层和SOI层提供在N+型硅层和第二P+型硅层整个上表面上。第一P+型硅层连接到地电位布线GND，N+型硅层连接到电源电位布线VDD。因此与电源并联连接的去耦电容器形成在P+型硅层和N+型硅层之间。

公开(公告)号：CN1518106A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001852.9

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L23/5222 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。

公开(公告)号：CN100499106C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610132027.1

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L23/5222 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。

公开(公告)号：CN1953170A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610132027.1

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L23/5222 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。

公开(公告)号：CN1291495C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410001852.9

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L23/5222 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。