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    用于进行等离子体化学气相沉积工艺的方法和设备
    1.
    发明授权
    用于进行等离子体化学气相沉积工艺的方法和设备 有权

    公开(公告)号：CN107893217B

    公开(公告)日：2021-04-27

    申请号：CN201710931629.1

    申请日：2017-10-09

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： M·J·N·范·斯特劳伦 ,  I·米莉瑟维奇 ,  G·克拉普斯浩斯 ,  T·布勒尔斯

    IPC: C23C16/513

    Abstract: 本发明涉及一种用于进行等离子体化学气相沉积工艺的方法和设备。该设备包括大致圆柱形的谐振器，该谐振器设置有圆柱形外壁和同轴的圆柱形内壁，在该圆柱形外壁和该圆柱形内壁之间限定能够以工作频率进行工作的谐振腔。该谐振腔绕该圆柱形外壁和该圆柱形内壁的圆柱轴在圆周方向上延伸。此外，圆柱形外壁包括能够连接至输入波导的输入端口。另外，圆柱形内壁包括绕圆柱轴在圆周方向上延伸的狭缝部。限定狭缝部的孔径的最大尺寸小于工作频率的波长的一半。

    用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法
    3.
    发明授权
    用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法 有权

    公开(公告)号：CN105110630B

    公开(公告)日：2019-09-03

    申请号：CN201510266815.9

    申请日：2015-05-22

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC: C03B37/018

    Abstract: 本发明涉及用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法。所述方法包括以下步骤：i)提供中空基管；ii)将含掺杂剂的玻璃形成气体的供给流供给至步骤i)的基管，其中供给流包括主气体流和一种或多种副气体流；iii)通过电磁辐射在步骤ii)的基管的至少一部分中诱导等离子体以产生其中发生一个或多个玻璃层沉积在基管的内表面上的反应区；iv)在所述基管的位于供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间，遍及基管沿纵向往返移动反应区；其中每一往返移动称作冲程；其中步骤iii)期间至少一种副气体流的流动被中断一次或多次；各所述中断具有沿基管长度的作为等离子体轴向位置的函数的起点和终点；各所述中断的所述起点和所述终点均位于相同冲程内。

    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法
    4.
    发明授权
    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法 有权

    公开(公告)号：CN104276752B

    公开(公告)日：2018-08-03

    申请号：CN201410306858.0

    申请日：2014-06-30

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC: C03B37/01

    CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

    Abstract: 本发明涉及制造前体的方法。即,涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法,其包含以下步骤:提供具有供给侧和排出侧的中空基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第反应条件的第等离子体反应区,用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积,提供在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区,用于在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积,获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管;冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管,获得初级预制品的前体。

    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法
    5.
    发明公开
    通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法 有权

    公开(公告)号：CN104276752A

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：CN201410306858.0

    申请日：2014-06-30

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC: C03B37/01

    CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

    Abstract: 本发明涉及制造前体的方法。即，涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法，其包含以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，获得初级预制品的前体。

    用于制造光纤用初级预制品的PCVD方法
    6.
    发明公开
    用于制造光纤用初级预制品的PCVD方法 有权

    公开(公告)号：CN104118987A

    公开(公告)日：2014-10-29

    申请号：CN201410171494.X

    申请日：2014-04-25

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

    IPC: C03B37/018

    CPC classification number: C03B37/0183 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01823 ,  C03B37/01869 ,  C03B2201/31 ,  C03B2207/28 ,  C03B2207/70 ,  C03B2207/80

    Abstract: 通过PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，包括以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管；经由中空玻璃基管的供给侧将气体流供给到所述中空基管的内部，所述气体流包括包含至少一种形成玻璃的气体的主气体流，和包含至少一种掺杂剂的至少一种副气体流；在所述中空基管内部通过微波辐射产生等离子体反应区，以在所述中空基管的内表面上进行玻璃层的沉积，所述反应区沿着所述中空基管的纵轴在位于所述中空基管的供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间往返移动，以得到在其内表面上沉积有玻璃层的基管；和任选地将步骤iii)中得到的在其内表面上沉积有玻璃层的基管进行收缩处理，以形成实心初级预制品。

    用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法
    10.
    发明公开
    用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法 有权

    公开(公告)号：CN105110630A

    公开(公告)日：2015-12-02

    申请号：CN201510266815.9

    申请日：2015-05-22

    Applicant: 德拉克通信科技公司

    Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

    IPC: C03B37/018

    Abstract: 本发明涉及用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法。所述方法包括以下步骤：i)提供中空基管；ii)将含掺杂剂的玻璃形成气体的供给流供给至步骤i)的基管，其中供给流包括主气体流和一种或多种副气体流；iii)通过电磁辐射在步骤ii)的基管的至少一部分中诱导等离子体以产生其中发生一个或多个玻璃层沉积在基管的内表面上的反应区；iv)在所述基管的位于供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间，遍及基管沿纵向往返移动反应区；其中每一往返移动称作冲程；其中步骤iii)期间至少一种副气体流的流动被中断一次或多次；各所述中断具有沿基管长度的作为等离子体轴向位置的函数的起点和终点；各所述中断的所述起点和所述终点均位于相同冲程内。

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