公开(公告)号：CN105084714B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201510268260.1

申请日：2015-05-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  J·A·哈特苏克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  G·克拉比希斯 ,  E·A·库伊佩斯

IPC: C03B8/04

Abstract: 本发明涉及通过内部气相沉积工艺制造光学预制件的方法和装置及基管组件。用于通过内部气相沉积工艺来制造光学预制件的该装置包括能量源和中空基管，该中空基管具有供给侧和排出侧，该能量源能够沿着中空基管的长度移动，该装置还包括连接至中空基管的排出侧的延长管，中空基管延伸至延长管的内部，以及延长管的内径比中空基管的外径大了至少0.5毫米。

公开(公告)号：CN103130411B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201210477438.X

申请日：2012-11-21

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C03B19/143 ,  C03B37/0183 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。

公开(公告)号：CN105110630A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510266815.9

申请日：2015-05-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法。所述方法包括以下步骤：i)提供中空基管；ii)将含掺杂剂的玻璃形成气体的供给流供给至步骤i)的基管，其中供给流包括主气体流和一种或多种副气体流；iii)通过电磁辐射在步骤ii)的基管的至少一部分中诱导等离子体以产生其中发生一个或多个玻璃层沉积在基管的内表面上的反应区；iv)在所述基管的位于供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间，遍及基管沿纵向往返移动反应区；其中每一往返移动称作冲程；其中步骤iii)期间至少一种副气体流的流动被中断一次或多次；各所述中断具有沿基管长度的作为等离子体轴向位置的函数的起点和终点；各所述中断的所述起点和所述终点均位于相同冲程内。

公开(公告)号：CN105084726A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510268271.X

申请日：2015-05-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  G·克拉比希斯 ,  P·格哈特斯 ,  J·A·哈特苏克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦

IPC: C03B23/04

Abstract: 本发明涉及一种用于制造光学预制件的方法，包括以下步骤：提供内表面上沉积有玻璃层的基管；通过将所述基管加热到所述基管的软化温度以上、并且通过提供高于环境压力的所述基管的内压，来增大所述基管的外径；以及通过施加横向热源以将所述基管加热到所述基管的软化温度以上，来对所述基管进行径向收缩，由此制造出光学预制件。

公开(公告)号：CN103864290A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310666987.6

申请日：2013-12-10

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及一种制造光纤预制品用的中空玻璃衬底管的内表面的活化方法，所述方法包括以下步骤：i）通过PCVD工艺在中空衬底管的内表面上沉积多个活化玻璃层，其中活化玻璃层的厚度为至少10微米且至多250微米；和ii）通过蚀刻工艺至少部分地除去步骤i）中沉积的活化层，其中步骤i）中沉积的活化玻璃层被除去到至少30%的程度。本方法通过对PCVD沉积层进行蚀刻步骤，而不是对初始衬底管自身进行蚀刻步骤，蚀刻工艺的优点-例如改善的粘附性-得以保持，而蚀刻的副作用-产生表面非均质性-减少乃至完全消除。

公开(公告)号：CN103130411A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210477438.X

申请日：2012-11-21

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C03B19/143 ,  C03B37/0183 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。

公开(公告)号：CN103011576A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210353491.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  J·A·哈特苏克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/02

CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明涉及光纤初级预制件、光纤最终预制件和光纤及其制造方法，通过使用等离子体化学内部气相沉积工艺来制造光纤初级预制件，其中：向中空玻璃基管的内部供给掺杂或未掺杂的玻璃形成前体，使等离子体形式的反应区沿着所述中空玻璃基管的长度在中空玻璃基管的位于供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间往返移动，中空玻璃基管配置在加热炉内，并且在反应区内创建条件以使得在所述中空玻璃基管的内部沉积由至少两个单独的玻璃层构成的一个或多个玻璃层封装体。

公开(公告)号：CN102219371A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110092907.1

申请日：2011-04-13

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  E·阿尔迪

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/025

CPC classification number: C03B37/0183 ,  C03B37/01807 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42

Abstract: 本发明涉及一种内部气相沉积工艺。本发明涉及使用内部气相沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法，所述方法包括以下步骤：i)设置具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管，ii)由加热炉包围至少部分的中空玻璃基管，iii)将掺杂或未掺杂的玻璃形成气体经由中空玻璃基管的供给侧供给至所述中空玻璃基管的内部，iv)创建反应区，在所述反应区中创建条件以使玻璃沉积发生在中空玻璃基管的内部，和v)使反应区在位于中空玻璃基管的供给侧附近的换向点和位于中空玻璃基管的排出侧附近的换向点之间沿着中空玻璃基管的长度往复移动，其中，在至少部分步骤v)期间，当反应区沿排出侧的方向移动时，气体流包含第一浓度的含氟化合物。

公开(公告)号：CN110872174B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201910827564.5

申请日：2019-09-03

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  G·克拉比希斯 ,  M·J·N·范·斯特劳伦

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及用于加热纵长的氧化硅筒以形成光纤用芯棒的装置、系统和方法。该方法包括设置加热装置，其中加热装置具有纵长的腔、限定腔并在相反的端部处连接到装置的框架的纵长的内衬、加热元件空间中的围绕将加热元件空间与腔分开的内衬的加热元件以及用于实现气体的流至少通过加热元件空间的气体冲洗装置。该方法包括：以使筒延伸通过腔的方式设置筒；局部加热筒超过软化温度；以及在加热期间实现气体的流，其中气体至少包括氩气和氮气。

公开(公告)号：CN115369380A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210540306.0

申请日：2022-05-17

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  G·克拉比希斯 ,  A·H·E·布勒尔斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明涉及一种等离子体化学气相沉积装置，其用于将一层或多层二氧化硅沉积到长中空玻璃基管的内壁上，该装置包括微波生成器、在使用中从所述生成器接收微波的等离子体生成器、延伸穿过所述生成器的筒形腔体、以及定位于腔体中的筒形衬套，其中基管在使用中穿过衬套，其中在衬套的一部分长度上，衬套具有内径减小的至少一个区段，该至少一个区段为基管提供接触区，其中微波生成器被构造为生成波长Lw在40mm至400mm范围内的微波，其中具有减小的内径的所述至少一个区段的长度为至多0.1×Lw，并且为至少1mm。