公开(公告)号：CN107265841B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710579782.2

申请日：2012-11-21

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。

公开(公告)号：CN107635936A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680026850.6

申请日：2016-03-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  R·汉斯 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯 ,  M·J·N·范·斯特劳伦

IPC: C03B37/018

Abstract: 一种用于在车床中安装转动基管并向所述管内提供处理气体流的转动导通件，所述转动导通件包括：处理气体供给管路，其用于向所述基管内提供处理气体；可转动的保持件，其被配置成以使所述基管相对于所述处理气体供给管路转动的方式接收和保持所述基管；转动接头，其设置在所述可转动的保持件和所述处理气体供给管路之间，所述转动接头使所述可转动的保持件与所述处理气体供给管路可转动地连接；固定壳体，其连接至所述处理气体供给管路和所述可转动的保持件，从而形成包围所述转动接头的封闭的腔，其中所述固定壳体还包括用于向所述封闭的腔提供辅助气体的辅助气体供给管路。

公开(公告)号：CN107265841A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710579782.2

申请日：2012-11-21

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。

公开(公告)号：CN106348615A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610552707.2

申请日：2016-07-13

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  G·克拉比希斯 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  P·格哈特斯 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03C15/02 ,  C03B37/018

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C03B37/01228 ,  C03B37/01861 ,  C03C15/00 ,  H01J37/32339 ,  H01J2237/334 ,  C03C15/02 ,  C03B37/018

Abstract: 本发明涉及基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法。通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法，等离子体蚀刻包括：将气体的供给流供给至基管的中央空腔，供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流；利用电磁辐射将等离子体引入基管的至少一部分中以在基管的中央空腔中创建等离子体区域；使等离子体区域沿纵向在基管的位于基管的供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动，其中各次来回移动被称为行程，在等离子体区域存在于供给侧附近的换向点与位于供给侧附近的换向点和排出侧附近的换向点之间的预先确定的轴向位置之间时，提供含氟蚀刻气体流。

公开(公告)号：CN102219372B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110092930.0

申请日：2011-04-13

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  E·阿尔迪 ,  E·A·库伊佩斯

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/025

CPC classification number: C03B37/0183 ,  C03B37/01807 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42

Abstract: 本发明涉及内部气相沉积工艺。本发明涉及光纤用初级预制品的制造方法，其使用内部气相沉积工艺，所述方法包括以下步骤：i)设置具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管，ii)由加热炉包围至少部分所述中空玻璃基管，iii)将玻璃形成气体的掺杂或未掺杂的气体流经由中空玻璃基管的供给侧供给至中空玻璃基管的内部，iv)创建其中条件为使得玻璃的沉积发生在所述中空玻璃管的内部的反应区，和v)在所述中空玻璃基管的位于供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间沿中空玻璃基管的纵向往复移动反应区。

公开(公告)号：CN105084726B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201510268271.X

申请日：2015-05-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  G·克拉比希斯 ,  P·格哈特斯 ,  J·A·哈特苏克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦

IPC: C03B23/04

Abstract: 本发明涉及一种用于制造光学预制件的方法，包括以下步骤：提供内表面上沉积有玻璃层的基管；通过将所述基管加热到所述基管的软化温度以上、并且通过提供高于环境压力的所述基管的内压，来增大所述基管的外径；以及通过施加横向热源以将所述基管加热到所述基管的软化温度以上，来对所述基管进行径向收缩，由此制造出光学预制件。

公开(公告)号：CN105110630B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201510266815.9

申请日：2015-05-22

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

IPC: C03B37/018

Abstract: 本发明涉及用于进行等离子体沉积工艺的设备和方法。所述方法包括以下步骤：i)提供中空基管；ii)将含掺杂剂的玻璃形成气体的供给流供给至步骤i)的基管，其中供给流包括主气体流和一种或多种副气体流；iii)通过电磁辐射在步骤ii)的基管的至少一部分中诱导等离子体以产生其中发生一个或多个玻璃层沉积在基管的内表面上的反应区；iv)在所述基管的位于供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间，遍及基管沿纵向往返移动反应区；其中每一往返移动称作冲程；其中步骤iii)期间至少一种副气体流的流动被中断一次或多次；各所述中断具有沿基管长度的作为等离子体轴向位置的函数的起点和终点；各所述中断的所述起点和所述终点均位于相同冲程内。

公开(公告)号：CN104276752B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410306858.0

申请日：2014-06-30

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

IPC: C03B37/01

CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

Abstract: 本发明涉及制造前体的方法。即,涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法,其包含以下步骤:提供具有供给侧和排出侧的中空基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第反应条件的第等离子体反应区,用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积,提供在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管;通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区,用于在内表面的至少部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积,获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管;冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管,获得初级预制品的前体。

公开(公告)号：CN104276752A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410306858.0

申请日：2014-06-30

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克 ,  G·克拉比希斯

IPC: C03B37/01

CPC classification number: C03B37/018 ,  C03B37/0183 ,  C03B37/01861 ,  C03B37/01869

Abstract: 本发明涉及制造前体的方法。即，涉及通过内部等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品的方法，其包含以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第一反应条件的第一等离子体反应区，用于在排出侧的换向点处或附近在基管内表面的至少一部分上进行非玻璃化氧化硅层的沉积，提供在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管；通过电磁辐射在中空基管的内部产生具有第二反应条件的第二等离子体反应区，用于在内表面的至少一部分上具有非玻璃化层的基管上进行玻璃化氧化硅层的沉积，获得具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管；冷却在具有沉积的非玻璃化和玻璃化氧化硅层的基管，获得初级预制品的前体。

公开(公告)号：CN104118987A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410171494.X

申请日：2014-04-25

Applicant: 德拉克通信科技公司

Inventor： I·米莉瑟维克 ,  M·J·N·范·斯特劳伦 ,  J·A·哈特苏克

IPC: C03B37/018

CPC classification number: C03B37/0183 ,  C03B37/01807 ,  C03B37/01823 ,  C03B37/01869 ,  C03B2201/31 ,  C03B2207/28 ,  C03B2207/70 ,  C03B2207/80

Abstract: 通过PCVD工艺制造光纤用初级预制品的方法，包括以下步骤：提供具有供给侧和排出侧的中空玻璃基管；经由中空玻璃基管的供给侧将气体流供给到所述中空基管的内部，所述气体流包括包含至少一种形成玻璃的气体的主气体流，和包含至少一种掺杂剂的至少一种副气体流；在所述中空基管内部通过微波辐射产生等离子体反应区，以在所述中空基管的内表面上进行玻璃层的沉积，所述反应区沿着所述中空基管的纵轴在位于所述中空基管的供给侧附近的换向点与位于排出侧附近的换向点之间往返移动，以得到在其内表面上沉积有玻璃层的基管；和任选地将步骤iii)中得到的在其内表面上沉积有玻璃层的基管进行收缩处理，以形成实心初级预制品。