公开(公告)号：CN109155521A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780027977.4

申请日：2017-06-15

申请人： 德州仪器公司

发明人： 桑迪普·R·巴尔

IPC分类号： H02H9/04

摘要： 所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)在第一模式中操作以将控制电压信号(GC1)递送到所述第一晶体管(101)，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管(101)相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路(102)以从所述第一晶体管(101)传导汇点电流(12)以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管(101)。

公开(公告)号：CN104241282A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410273212.7

申请日：2014-06-18

申请人： 德州仪器公司

发明人： 桑迪普·R·巴尔 ,  马修·塞内斯凯 ,  纳韦恩·蒂皮尔内尼 ,  戴维·I·安德森 ,  萨米尔·彭德哈卡

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/538 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H03K17/687

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/48465

摘要： 本申请案涉及一种双向氮化镓开关及其形成方法。一种半导体装置(400)包含形成于非绝缘衬底(402)上的双向GaN FET(406)。所述半导体装置进一步包含连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第一源极/漏极节点(416)之间的第一电箝位部(420)及连接于所述衬底与所述双向GaN FET的第二源极/漏极节点(418)之间的第二电箝位部(422)。所述第一箝位部及所述第二箝位部经配置以在相关箝位部的偏移电压内将所述衬底偏置于到所述第一源极/漏极节点的所施加偏置及到所述第二源极/漏极节点的所施加偏置中的较低电压电平下。

公开(公告)号：CN113629688B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202111047301.6

申请日：2017-06-15

申请人： 德州仪器公司

发明人： 桑迪普·R·巴尔

IPC分类号： H02H9/04 ,  H02H1/00 ,  H02H7/12 ,  H03K17/082 ,  H02M1/32 ,  H02M1/08

摘要： 本申请实施例涉及用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受。所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)在第一模式中操作以将控制电压信号(GC1)递送到所述第一晶体管(101)，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管(101)相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路(102)以从所述第一晶体管(101)传导汇点电流(12)以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管(101)。

公开(公告)号：CN113629688A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202111047301.6

申请日：2017-06-15

申请人： 德州仪器公司

发明人： 桑迪普·R·巴尔

IPC分类号： H02H9/04 ,  H02H1/00 ,  H02H7/12 ,  H03K17/082 ,  H02M1/32 ,  H02M1/08

摘要： 本申请实施例涉及用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受。所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)在第一模式中操作以将控制电压信号(GC1)递送到所述第一晶体管(101)，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管(101)相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路(102)以从所述第一晶体管(101)传导汇点电流(12)以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管(101)。