公开(公告)号：CN111670493B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201880088011.6

申请日：2018-11-09

Applicant: 德克萨斯大学系统董事会

Inventor： 希德加塔·V·斯林瓦森 ,  阿克希拉·马拉瓦拉普 ,  希拉旺·辛格尔 ,  劳伦斯·R·邓恩 ,  布莱恩·高利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/78

Abstract: 本技术的多个实施方案总体上涉及半导体器件架构和制造技术。更具体地，本技术的一些实施方案涉及使用受催化剂影响的化学蚀刻技术的硅蚀刻，并将其应用于三维存储器架构和晶体管。CICE是一种基于催化剂的蚀刻方法，可以用于半导体以及半导体的多层结构。CICE工艺的各种实施方案可以使用催化剂来蚀刻半导体基板并制造高纵横比特征。还公开了用于该目的的制造工具。这将使得在制造半导体器件时能够采用该技术。

公开(公告)号：CN111670493A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201880088011.6

申请日：2018-11-09

Applicant: 德克萨斯大学系统董事会

Inventor： 希德加塔·V·斯林瓦森 ,  阿克希拉·马拉瓦拉普 ,  希拉旺·辛格尔 ,  劳伦斯·R·邓恩 ,  布莱恩·高利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/78

Abstract: 本技术的多个实施方案总体上涉及半导体器件架构和制造技术。更具体地，本技术的一些实施方案涉及使用受催化剂影响的化学蚀刻技术的硅蚀刻，并将其应用于三维存储器架构和晶体管。CICE是一种基于催化剂的蚀刻方法，可以用于半导体以及半导体的多层结构。CICE工艺的各种实施方案可以使用催化剂来蚀刻半导体基板并制造高纵横比特征。还公开了用于该目的的制造工具。这将使得在制造半导体器件时能够采用该技术。