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公开(公告)号：CN104904115A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201480004238.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03B19/10
Abstract: 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo-)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
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公开(公告)号：CN103748786B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201280038307.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45179 , H03F3/45645 , H03F2200/462 , H03F2203/45306 , H03F2203/45418 , H03F2203/45424 , H03F2203/45431 , H03F2203/45442 , H03F2203/45446 , H03F2203/45696 , H03F2203/45702
Abstract: 本发明涉及一种C类放大器（100），其中施加共模电流到共栅放大器（100）并且感测共模电流。响应所感测的共模电流，产生控制电压。如果共模电流小于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第一反馈电流（FB1）到共栅放大器（110）的差分地。另外，如果共模电流大于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第二反馈电流（FB2）到共栅放大器（110）的输入端（IN）。
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公开(公告)号：CN103748786A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280038307.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45179 , H03F3/45645 , H03F2200/462 , H03F2203/45306 , H03F2203/45418 , H03F2203/45424 , H03F2203/45431 , H03F2203/45442 , H03F2203/45446 , H03F2203/45696 , H03F2203/45702
Abstract: 本发明涉及一种C类放大器（100），其中施加共模电流到共栅放大器（100）并且感测共模电流。响应所感测的共模电流，产生控制电压。如果共模电流小于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第一反馈电流（FB1）到共栅放大器（110）的差分地。另外，如果共模电流大于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第二反馈电流（FB2）到共栅放大器（110）的输入端（IN）。
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公开(公告)号：CN104904115B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201480004238.X
申请日：2014-01-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03B19/10
Abstract: 倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo‑)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703612B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201280036548.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01Q1/52 , H01Q9/0407 , H01Q15/008
Abstract: 一种用于发射辐射的装置，其具有在基板（104）上形成的天线和高阻抗表面（HIS）。所述HIS具有多个多层垂直堆叠的单元（304），其被设置以形成大致环绕所述天线的至少一部分的阵列。每个单元（304）包括形成在基板（104）上的接地面（106），在所述接地面上方形成并耦合到所述接地面的第一金属板（306），和在所述第一金属板上方形成并通过互连（308）耦合到所述第一金属板的第二金属板（310）。示例性第一和第二基板是平行的并且基本上是矩形的，其中多个单元的第一和第二金属板被设置以形成所述阵列的相应的第一和第二格子图案。
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公开(公告)号：CN109387825B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810900793.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G01S7/524
Abstract: 本申请涉及用于超声换能器的激励信号序列。超声检测电路(100)包括在激励间隔期间向超声换能器(110)提供激励信号的发射器电路(140)。控制电路(150)包括用于接收命令的端口(154)。控制电路(150)在激励间隔期间控制发射器电路(140)的激励信号的频率和占空比。控制电路(150)响应于命令产生激励间隔的第一激励信号序列，接着是第一监控周期，以接收第一回波信号。控制电路(150)响应于命令产生激励间隔的第二激励信号序列，接着是第二监控周期，以接收第二回波信号。控制电路(150)基于接收到的第一回波信号或第二回波信号中的至少一个经由端口(154)输出结果。
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公开(公告)号：CN103703612A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280036548.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01Q1/52 , H01Q9/0407 , H01Q15/008
Abstract: 一种用于发射辐射的装置，其具有在基板（104）上形成的天线和高阻抗表面（HIS）。所述HIS具有多个多层垂直堆叠的单元（304），其被设置以形成大致环绕所述天线的至少一部分的阵列。每个单元（304）包括形成在基板（104）上的接地面（106），在所述接地面上方形成并耦合到所述接地面的第一金属板（306），和在所述第一金属板上方形成并通过互连（308）耦合到所述第一金属板的第二金属板（310）。示例性第一和第二基板是平行的并且基本上是矩形的，其中多个单元的第一和第二金属板被设置以形成所述阵列的相应的第一和第二格子图案。
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公开(公告)号：CN109387825A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810900793.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G01S7/524
CPC classification number: B06B1/0223 , B05B17/06 , B06B1/0215 , B06B1/0269 , G01F23/22 , G01S7/524 , G01S15/10 , G01S15/102 , G10K11/341
Abstract: 本申请涉及用于超声换能器的激励信号序列。超声检测电路(100)包括在激励间隔期间向超声换能器(110)提供激励信号的发射器电路(140)。控制电路(150)包括用于接收命令的端口(154)。控制电路(150)在激励间隔期间控制发射器电路(140)的激励信号的频率和占空比。控制电路(150)响应于命令产生激励间隔的第一激励信号序列，接着是第一监控周期，以接收第一回波信号。控制电路(150)响应于命令产生激励间隔的第二激励信号序列，接着是第二监控周期，以接收第二回波信号。控制电路(150)基于接收到的第一回波信号或第二回波信号中的至少一个经由端口(154)输出结果。
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公开(公告)号：CN103650338A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034605.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: G06F1/26 , H03F1/305 , H03F3/195 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/459 , H03F2203/7215
Abstract: 本发明提供补偿寄生电感和电阻（例如，来自封装键合线）的装置和方法，其中所述寄生电感和电阻影响具有较大变化的电流消耗的占空比系统如低噪声放大器（LNA）中的电流。升压电路提供来自电源VBSTDC的电流以补偿由于封装电感204和电阻性电压降引起的电压变化。为实现这点，复制电路（即，晶体管Q2）能够从电流源206-1（其能够是大致恒定的电流源）获得电流，其中所述电流源206-1是由输入电路（即，LNA108）供应的电流ICKT的复制品IRPL。
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