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公开(公告)号：CN1820352A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019569.7
申请日：2004-05-04
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/334
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/57
摘要： 本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。
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公开(公告)号：CN1930661A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580006960.8
申请日：2005-01-06
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02639
摘要： 本发明涉及有选择地淀积半导体材料的方法。将衬底放置在反应室内。该衬底包括第一表面和第二表面。在如下条件下将该第一表面和第二表面暴露于半导体材料前驱物：该前驱物的半导体材料的生长包括生长期之前的停滞期，且在第二表面上起始该生长期所需的时间比在第一表面上起始该生长期所需的时间长。将第一和第二表面暴露于上述前驱物的时间足以让生长期在第一表面上发生，但不足以让生长期在第二表面发生。
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公开(公告)号：CN1856870A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027564.9
申请日：2004-09-20
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/76224 , H01L21/76837
摘要： 本发明涉及在半导体基底中填充缝隙的方法。在反应室中提供基底和含有至少一种重氢化合物的气体混合物。使该气体混合物反应而通过同时进行的层沉积和蚀刻在基底上形成材料层。该材料层填充缝隙，使得缝隙内的材料是基本上没有间隙的。本发明包括提供改善沉积速率均匀性的方法。材料在至少一种选自D2、HD、DT、T2和TH的气体的存在条件下沉积在表面上。在沉积期间净沉积速率横跨表面具有的偏差程度在其他方面基本上相同的条件下相对于使用H2沉积发生的偏差程度获得了可测得的改善。
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公开(公告)号：CN1739188A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108641.9
申请日：2003-11-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/38 , C23C16/403 , C23C16/45542 , C23C16/515 , H01L21/02178 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/28562 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/76841
摘要： 使第一前驱气体流向室内的基底，从而有效地在所述基底上形成第一单分子层。在所述室内，在表面微波等离子体条件下，使组成与第一前驱气体不同的第二前驱气体流向所述室内的第一单分子层，从而有效地使之同所述第一单分子层反应并在所述基底上形成第二单分子层，所述第二单分子层的组成与所述第一单分子层不同。所述第二单分子层包括所述第一单分子层和第二前驱气体的成分。在一种实施方式中，连续重复所述第一和第二前驱气体的流动，从而有效地在所述基底上形成大量具有所述第二单分子层的组成的材料。附加的及其它的实施方式也包括在内。
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公开(公告)号：CN100585808C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200480033277.9
申请日：2004-09-08
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/10852
摘要： 形成具有多层的掩模结构。该掩模结构包括无定形碳层和形成在无定形碳层上的帽盖层。该无定形碳层包括透明的无定形碳。该帽盖层包括非氧化物材料。在半导体器件制造期间，该掩模结构可以用作在蚀刻处理中的掩模。
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公开(公告)号：CN100483636C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200380108641.9
申请日：2003-11-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/38 , C23C16/403 , C23C16/45542 , C23C16/515 , H01L21/02178 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/28562 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/76841
摘要： 使第一前驱气体流向室内的基底，从而有效地在所述基底上形成第一单分子层。在所述室内，在表面微波等离子体条件下，使组成与第一前驱气体不同的第二前驱气体流向所述室内的第一单分子层，从而有效地使之同所述第一单分子层反应并在所述基底上形成第二单分子层，所述第二单分子层的组成与所述第一单分子层不同。所述第二单分子层包括所述第一单分子层和第二前驱气体的成分。在一种实施方式中，连续重复所述第一和第二前驱气体的流动，从而有效地在所述基底上形成大量具有所述第二单分子层的组成的材料。附加的及其它的实施方式也包括在内。
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公开(公告)号：CN1879196A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033277.9
申请日：2004-09-08
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/10852
摘要： 形成具有多层的掩模结构。该掩模结构包括无定形碳层和形成在无定形碳层上的帽盖层。该无定形碳层包括透明的无定形碳。该帽盖层包括非氧化物材料。在半导体器件制造期间，该掩模结构可以用作在蚀刻处理中的掩模。
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