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公开(公告)号：CN106716670A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051733.0
申请日：2015-09-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , G02B5/0242 , H01L51/0096 , H01L51/0097 , H01L51/5275 , H01L2251/5369 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种用于有机发光元件的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光元件，更具体地，涉及通过优化能够使散射效率最大化的堆叠结构来能够提高有机发光元件的光提取效率的用于有机发光元件的光提取基底。为此，本发明提供了用于有机发光元件的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光元件，所述光提取基底包括：基体基底；多个光散射物体，布置在基体基底上；基质层，形成在基体基底上，以覆盖多个光散射物体；平坦化层，形成在基质层上并且其表面与有机发光元件接触，其中，覆盖基质层、平坦化层和光散射物体中的至少一者具有不同的折射率。
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公开(公告)号：CN107112435A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071172.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/0096 , H01L51/0097 , H01L51/5012 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，更具体地，涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，所述方法通过在基质层上形成可以引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹来使发射的光的路径复杂化或多样化，从而进一步改善有机发光二极管的光提取效率。为此，本发明中提供一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：混合物制备步骤，通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二金属氧化物组成的多个散射颗粒混合来制备混合物；混合物涂覆步骤，在基体基底上涂覆混合物；混合物烧制步骤，烧制已经被涂覆的混合物，以在基体基底上形成基质层，所述基质层包括第一金属氧化物，并且多个散射颗粒分散在基质层的内部，其中，在混合物烧制步骤中，由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数(CTE)的差异，在基质层上形成能够引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹。
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公开(公告)号：CN107112434A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071153.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L31/02327 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5275 , H01L51/5225
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种能够通过从内部光提取层传递而形成的优化褶皱结构来显著地提高光提取效率的有机发光二极管，从而能够有优异的发光效率。为此，本发明中提供的是有机发光二极管，该有机发光二极管包括：第一基底；内部光提取层，形成在第一基底上；第一电极，形成在内部光提取层上；有机发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在有机发光层上，其中，褶皱形成在内部光提取层的表面上，其中，褶皱顺序地传递到第一电极、有机发光层和第二电极上，其中，第二电极的表面包括褶皱结构，其中，褶皱结构包括多个凸部和形成在相邻的凸部之间的多个凹部，其中，关于相邻的凸部之间的间距与凹部的深度的深度/宽度比为0.1至7。
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公开(公告)号：CN107112435B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580071172.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
Abstract: 本发明涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，更具体地，涉及制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底以及包括该光提取基底有机发光二极管，所述方法通过在基质层上形成可以引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹来使发射的光的路径复杂化或多样化，从而进一步改善有机发光二极管的光提取效率。为此，本发明中提供一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：混合物制备步骤，通过将包含第一金属氧化物的溶胶‑凝胶溶液与由具有与第一金属氧化物的折射率不同的折射率的第二金属氧化物组成的多个散射颗粒混合来制备混合物；混合物涂覆步骤，在基体基底上涂覆混合物；混合物烧制步骤，烧制已经被涂覆的混合物，以在基体基底上形成基质层，所述基质层包括第一金属氧化物，并且多个散射颗粒分散在基质层的内部，其中，在混合物烧制步骤中，由于基体基底与第一金属氧化物之间的热膨胀系数(CTE)的差异，在基质层上形成能够引起由有机发光二极管发射的光的散射的裂纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106716670B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201580051733.0
申请日：2015-09-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种用于有机发光元件的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光元件，更具体地，涉及通过优化能够使散射效率最大化的堆叠结构来能够提高有机发光元件的光提取效率的用于有机发光元件的光提取基底。为此，本发明提供了用于有机发光元件的光提取基底以及包括该光提取基底的有机发光元件，所述光提取基底包括：基体基底；多个光散射物体，布置在基体基底上；基质层，形成在基体基底上，以覆盖多个光散射物体；平坦化层，形成在基质层上并且其表面与有机发光元件接触，其中，覆盖基质层、平坦化层和光散射物体中的至少一者具有不同的折射率。
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公开(公告)号：CN107112434B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580071153.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 康宁精密素材株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L31/02327 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5275
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种能够通过从内部光提取层传递而形成的优化褶皱结构来显著地提高光提取效率的有机发光二极管，从而能够有优异的发光效率。为此，本发明中提供的是有机发光二极管，该有机发光二极管包括：第一基底；内部光提取层，形成在第一基底上；第一电极，形成在内部光提取层上；有机发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在有机发光层上，其中，褶皱形成在内部光提取层的表面上，其中，褶皱顺序地传递到第一电极、有机发光层和第二电极上，其中，第二电极的表面包括褶皱结构，其中，褶皱结构包括多个凸部和形成在相邻的凸部之间的多个凹部，其中，关于相邻的凸部之间的间距与凹部的深度的深度/宽度比为0.1至7。
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公开(公告)号：CN106663745B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580047709.X
申请日：2015-09-03
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , B03C1/015 , H01F1/0045 , H01F1/0063 , H01F41/24 , H01F41/30 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，更具体地，涉及一种能够通过改善分布在基质层内部的光散射颗粒的分散性和基底粘附性而提高有机发光二极管的光提取效率和结构稳定性的制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法。为此，本发明提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：将透明磁性纳米颗粒与挥发性的第一溶液混合的第一混合步骤；将包含非磁性氧化物颗粒的第二溶液、通过第一混合步骤形成的混合液体和光散射颗粒进行混合的第二混合步骤；用通过第二混合步骤形成的涂覆溶液涂覆基础基底的涂覆步骤；在基础基底的下部上将磁场施加到涂覆溶液侧以对涂覆溶液内部包括的透明磁性纳米颗粒进行磁性排列的磁场施加步骤。
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公开(公告)号：CN106663745A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580047709.X
申请日：2015-09-03
Applicant: 康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , B03C1/015 , H01F1/0045 , H01F1/0063 , H01F41/24 , H01F41/30 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，更具体地，涉及一种能够通过改善分布在基质层内部的光散射颗粒的分散性和基底粘附性而提高有机发光二极管的光提取效率和结构稳定性的制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法。为此，本发明提供了一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括：将透明磁性纳米颗粒与挥发性的第一溶液混合的第一混合步骤；将包含非磁性氧化物颗粒的第二溶液、通过第一混合步骤形成的混合液体和光散射颗粒进行混合的第二混合步骤；用通过第二混合步骤形成的涂覆溶液涂覆基础基底的涂覆步骤；在基础基底的下部上将磁场施加到涂覆溶液侧以对涂覆溶液内部包括的透明磁性纳米颗粒进行磁性排列的磁场施加步骤。
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公开(公告)号：CN103456850A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310205664.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 三星康宁精密素材株式会社
CPC classification number: H01L21/02694 , H01L33/0079 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法。该方法包括下列步骤：在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及将第二衬底粘结到所述晶体薄膜上，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。有可能排除相关技术的导电势垒层，防止反射层因高温处理而发生故障，并且从根本上防止了由于彼此粘结的异质材料之间的热膨胀系数差而导致的裂纹。
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