公开(公告)号：CN103456850A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310205664.7

申请日：2013-05-29

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 金东显 ,  金东云 ,  金美璟 ,  金旼柱 ,  金雅罗 ,  金铉埈 ,  徐中源 ,  禹广济 ,  李宝贤 ,  全钟必 ,  郑璟燮

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02694 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法。该方法包括下列步骤：在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及将第二衬底粘结到所述晶体薄膜上，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。有可能排除相关技术的导电势垒层，防止反射层因高温处理而发生故障，并且从根本上防止了由于彼此粘结的异质材料之间的热膨胀系数差而导致的裂纹。

公开(公告)号：CN103526296A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310271109.4

申请日：2013-07-01

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 林圣根 ,  朴甫益 ,  禹广济 ,  金宇理汉 ,  金俊会 ,  朴喆民 ,  裵峻莹 ,  李东龙 ,  李原兆 ,  崔准成

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664

Abstract: 制造氮化镓（GaN）基板的方法和由该方法制造的GaN基板。该方法包括在基底基板上生长GaN膜和从GaN膜分离基底基板的步骤。生长GaN膜的步骤包括在GaN膜中形成凹点，该凹点诱导倒反畴界在GaN膜的内部形成。GaN基板可具有在层转移（LT）工艺过程中可用来操控基板的预定厚度，并且GaN基板的翘曲可达最小化，从而防止由于翘曲引起的裂纹。

公开(公告)号：CN103171181A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210575963.5

申请日：2012-12-26

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 崔溶元 ,  郑映振 ,  文东建 ,  禹广济

IPC: B32B9/04 ,  B32B17/00 ,  G02F1/01

CPC classification number: G02F1/0147 ,  C03C17/3411 ,  C23C14/083

Abstract: 一种反射基板及其制造方法，所述反射基板对可见光的透光率增加。所述反射基板包含玻璃基板、形成在玻璃基板上的氧化物薄膜或氮化物膜，并且二氧化钒(VO2)膜形成在所述氧化物薄膜或氮化物膜上。