公开(公告)号：CN103456850A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310205664.7

申请日：2013-05-29

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 金东显 ,  金东云 ,  金美璟 ,  金旼柱 ,  金雅罗 ,  金铉埈 ,  徐中源 ,  禹广济 ,  李宝贤 ,  全钟必 ,  郑璟燮

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02694 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造用于半导体器件的薄膜粘结衬底的方法。该方法包括下列步骤：在由块晶体构成的第一衬底上外延生长一外延生长层；裂解所述第一衬底，从而在所述外延生长层留下晶体薄膜，所述晶体薄膜是从所述第一衬底分离出的；以及将第二衬底粘结到所述晶体薄膜上，所述第二衬底的化学成分与所述第一衬底的化学成分不同。有可能排除相关技术的导电势垒层，防止反射层因高温处理而发生故障，并且从根本上防止了由于彼此粘结的异质材料之间的热膨胀系数差而导致的裂纹。