有机发光二极管
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112434A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580071153.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管,更具体地,涉及一种能够通过从内部光提取层传递而形成的优化褶皱结构来显著地提高光提取效率的有机发光二极管,从而能够有优异的发光效率。为此,本发明中提供的是有机发光二极管,该有机发光二极管包括:第一基底;内部光提取层,形成在第一基底上;第一电极,形成在内部光提取层上;有机发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在有机发光层上,其中,褶皱形成在内部光提取层的表面上,其中,褶皱顺序地传递到第一电极、有机发光层和第二电极上,其中,第二电极的表面包括褶皱结构,其中,褶皱结构包括多个凸部和形成在相邻的凸部之间的多个凹部,其中,关于相邻的凸部之间的间距与凹部的深度的深度/宽度比为0.1至7。

    光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件

    公开(公告)号:CN105453292B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201480043805.2

    申请日:2014-07-02

    Abstract: 本发明涉及光电子器件基板以及包括其的光电子器件,并且更具体地,涉及如下光电子器件基板以及包括其的光电子器件,该光电子器件基板可以确保形成光电子器件的薄膜的平坦性,并且确保被形成以改善光电子器件的特性的功能薄膜在结构上稳定,从而维持功能薄膜的功能。在这点上,本发明提供了光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件,所述基板包括:基底基板;在基底基板上形成的凹凸结构,其中所述凹凸结构的表面形成凹凸图案;和在所述凹凸结构上形成的平坦化层,所述平坦化层由二维材料形成。

    有机发光二极管
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107112434B

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201580071153.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管,更具体地,涉及一种能够通过从内部光提取层传递而形成的优化褶皱结构来显著地提高光提取效率的有机发光二极管,从而能够有优异的发光效率。为此,本发明中提供的是有机发光二极管,该有机发光二极管包括:第一基底;内部光提取层,形成在第一基底上;第一电极,形成在内部光提取层上;有机发光层,形成在第一电极上;第二电极,形成在有机发光层上,其中,褶皱形成在内部光提取层的表面上,其中,褶皱顺序地传递到第一电极、有机发光层和第二电极上,其中,第二电极的表面包括褶皱结构,其中,褶皱结构包括多个凸部和形成在相邻的凸部之间的多个凹部,其中,关于相邻的凸部之间的间距与凹部的深度的深度/宽度比为0.1至7。

    光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件

    公开(公告)号:CN105453292A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201480043805.2

    申请日:2014-07-02

    Abstract: 本发明涉及光电子器件基板以及包括其的光电子器件,并且更具体地,涉及如下光电子器件基板以及包括其的光电子器件,该光电子器件基板可以确保形成光电子器件的薄膜的平坦性,并且确保被形成以改善光电子器件的特性的功能薄膜在结构上稳定,从而维持功能薄膜的功能。在这点上,本发明提供了光电子器件基板以及包括该光电子器件基板的光电子器件,所述基板包括:基底基板;在基底基板上形成的凹凸结构,其中所述凹凸结构的表面形成凹凸图案;和在所述凹凸结构上形成的平坦化层,所述平坦化层由二维材料形成。

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