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公开(公告)号：CN111270223A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010090413.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C14/22 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/32 , C23C28/04
Abstract: 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN106133885A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017814.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/324
Abstract: 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN106133885B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580017814.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/324
Abstract: 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN103891417B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201280051755.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/28 , H01L21/205
Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
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公开(公告)号：CN103370768B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280008689.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。
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公开(公告)号：CN107164742A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710469677.3
申请日：2012-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本申请公开了具有共享腔的真空腔室。本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。
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公开(公告)号：CN104137248A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010918.8
申请日：2013-01-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/67167 , H01L21/67201
Abstract: 本发明的实施例提供了包括两个或更多隔离腔室容积的一种负载锁定腔室，其中一腔室容积被配置来用于处理基板，且另一腔室容积被配置来提供冷却给基板。本发明的一实施例提供了一种负载锁定腔室，该负载锁定腔室具有形成在腔室主体组件中的至少两个隔离腔室容积。该至少两个隔离腔室容积可垂直堆迭。第一腔室容积可用于使用反应物种来处理设置于第一腔室容积中的基板。第二腔室容积可包括冷却基板支撑。
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公开(公告)号：CN111254436B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010090438.9
申请日：2015-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C28/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
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公开(公告)号：CN103891417A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051755.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/28 , H01L21/205
Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
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