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公开(公告)号:CN106467978B
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN201610687180.4
申请日:2016-08-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在电镀装置中,桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶片表面处提供高速的流体流动。另外,搅拌器被设计和/或移动以有选择地屏蔽晶片的一部分(例如晶片边缘)免受容器中的电场影响。有选择地屏蔽可通过将搅拌器的平均位置暂时地朝向晶片的一侧偏移,通过省略或缩短搅拌器中的狭缝,和/或通过将搅拌器的运动与晶片旋转同步来实现。
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公开(公告)号:CN114481240A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111240314.5
申请日:2021-10-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性电镀方法可以包括:将来自电源的电流传送流过电镀腔室的镀敷浴槽达第一时间周期。所传送的电流可以是或者可以包括脉冲电流,占空因数小于或者大约是50%,这些方法可以包括:在镀敷浴槽内将第一数量的金属镀敷在基板上。该基板可以界定过孔,该过孔在该基板内。这些方法可以包括:在第一时间周期之后,将电源转变为连续DC电流传送达第二时间周期。这些方法可以包括:将第二数量的金属镀敷在基板上。
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公开(公告)号:CN114481240B
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202111240314.5
申请日:2021-10-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性电镀方法可以包括:将来自电源的电流传送流过电镀腔室的镀敷浴槽达第一时间周期。所传送的电流可以是或者可以包括脉冲电流,占空因数小于或者大约是50%,这些方法可以包括:在镀敷浴槽内将第一数量的金属镀敷在基板上。该基板可以界定过孔,该过孔在该基板内。这些方法可以包括:在第一时间周期之后,将电源转变为连续DC电流传送达第二时间周期。这些方法可以包括:将第二数量的金属镀敷在基板上。
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公开(公告)号:CN110291617A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201880011302.5
申请日:2018-01-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容一般地涉及将纯铝结晶层电沉积至铝合金制品的表面上的数种方法。所述方法可包括,将该制品与电极定位在电沉积溶液中。该电沉积溶液包括下述物质中的一或多种:铝卤化物、有机氯化物盐、铝还原剂、诸如腈化合物之类的溶剂、及碱金属卤化物。用惰性气体毯覆该溶液,搅拌该溶液,且通过施加偏压电压至该制品及该电极,而使铝结晶层沉积在该制品上。
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公开(公告)号:CN106467978A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201610687180.4
申请日:2016-08-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在电镀装置中,桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶片表面处提供高速的流体流动。另外,搅拌器被设计和/或移动以有选择地屏蔽晶片的一部分(例如晶片边缘)免受容器中的电场影响。有选择地屏蔽可通过将搅拌器的平均位置暂时地朝向晶片的一侧偏移,通过省略或缩短搅拌器中的狭缝,和/或通过将搅拌器的运动与晶片旋转同步来实现。
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公开(公告)号:CN205954144U
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201620901954.4
申请日:2016-08-18
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D17/06
Abstract: 本公开内容涉及一种电镀处理器。本公开内容涉及一种用于电镀处理器中的搅拌器。在电镀装置中,桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶片表面处提供高速的流体流动。另外,搅拌器被设计和/或移动以有选择地屏蔽晶片的一部分(例如晶片边缘)免受容器中的电场影响。有选择地屏蔽可通过将搅拌器的平均位置暂时地朝向晶片的一侧偏移,通过省略或缩短搅拌器中的狭缝,和/或通过将搅拌器的运动与晶片旋转同步来实现。
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