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公开(公告)号：CN113767187A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201980095585.0
申请日：2019-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 一种在基板上溅射沉积含金属层的方法包括：将气体混合物供应到处理腔室(100)中；在基板(101)上形成含金属层的第一部分；从处理腔室传输基板；旋转基板；将基板传输回到处理腔室，并在含金属层的第一部分上形成含金属层的第二部分。还公开一种在基板上溅射沉积含金属层的设备和保存程序的计算机可读储存介质。所述方法形成具有良好均匀性、期望的应力控制和分布和具有期望膜性能的期望的表面形态的含金属层。
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公开(公告)号：CN113795608B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
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公开(公告)号：CN113795608A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
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公开(公告)号：CN107408524A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680016706.4
申请日：2016-02-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G05D23/1919 , G05D23/27 , H01L21/67098 , G05D23/1917
Abstract: 本文公开了用于半导体处理的处理腔室中的温度控制的方法及设备。在一个实施方式中，提供了用于半导体处理的处理腔室。所述处理腔室包含腔室主体及温度控制系统。所述温度控制系统包含温度传感器、送风机、及控制器，所述温度传感器经配置以测量处理腔室的上圆顶的温度，所述控制器经配置以控制所述温度控制系统。所述温度控制系统经配置以实现在此提供的用于控制处理腔室温度的方法。
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