-
公开(公告)号：CN110709974B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880032694.3
申请日：2018-04-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所公开的实施方式包括用于消除在半导体工艺中产生的化合物的消除系统。消除系统包括位于等离子体源下游的排放冷却设备。排放冷却设备包括板和设置在所述板下游的冷却板。在操作期间，在板上收集的材料与清洁自由基反应以形成气体。板的温度高于冷却板的温度，以改善清洁自由基与板上的材料的反应的反应速率。
-
公开(公告)号：CN113795608A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
-
公开(公告)号：CN113795608B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
-
公开(公告)号：CN110709974A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880032694.3
申请日：2018-04-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所公开的实施方式包括用于消除在半导体工艺中产生的化合物的消除系统。消除系统包括位于等离子体源下游的排放冷却设备。排放冷却设备包括板和设置在所述板下游的冷却板。在操作期间，在板上收集的材料与清洁自由基反应以形成气体。板的温度高于冷却板的温度，以改善清洁自由基与板上的材料的反应的反应速率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
