公开(公告)号：CN119404611A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380051279.3

申请日：2023-07-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨世海 ,  乔迪·A·弗龙海尔 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  阿希什·派欧

IPC: H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 描述了水平环栅器件及其制造方法。这些hGAA器件包含在器件的源极区域与漏极区域之间的半导体材料。该方法包括在第一材料上形成包覆材料，接着进行干式氧化处理，从而导致包覆材料及第一材料的重新排列。

公开(公告)号：CN120051855A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380073193.0

申请日：2023-09-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乔迪·弗龙海尔 ,  杨世海 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  刘乐群

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 一种在基板上形成多层半导体器件的方法包括：形成多个交替的由一第一材料组成的第一层和由第二材料形成的第二层的超晶格；去除超晶格的第二层；蚀刻第一材料层以由其形成修整的第一层，其中从第一层中的不同第一层去除的材料的数量是不同的量；在第一层上方形成覆盖层；测量在第一层中的不同第一层上形成的覆盖层之间的距离、在修整的第一层中的不同修整的第一层上形成的覆盖层中的不同覆盖层的厚度、和修整的第一层中的不同修整的第一层与其上方形成的覆盖层的组合厚度中的不同厚度中的至少一者；以及基于测量的差值，计算蚀刻的第一层的新厚度。