公开(公告)号：CN118339648A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079482.7

申请日：2022-10-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  刘乐群

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本文中的方法提供了用于形成最佳化的环绕式栅极晶体管的装置和方法。一种方法可以包括以下步骤：形成多个纳米片，每个纳米片包括多个交替的第一层和第二层；以及蚀刻所述多个纳米片，以使所述第二层相对于所述第一层横向凹陷。所述方法可以进一步包括以下步骤：通过以下步骤在凹陷的所述第二层之上形成内部间隔件：沿着所述多个纳米片的每一者的暴露部分形成间隔材料；蚀刻所述间隔材料，以从所述多个纳米片的每一者的所述第一层移除所述间隔材料；以及在从所述多个纳米片的每一者的所述第一层移除所述间隔材料之后，对所述多个纳米片执行侧壁处理。

公开(公告)号：CN113474890B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202080011760.6

申请日：2020-02-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  姜声官 ,  刘乐群

IPC: H10B12/00

Abstract: 描述了一种存储器装置。所述存储器装置包括延伸穿过交替的存储器层和介电层的堆叠的多个位线。存储器层的每一者包括单晶状硅层，且包括第一字线、第二字线、第一电容器和第二电容器。还描述了形成堆叠存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN114207808A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056052.4

申请日：2020-07-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘乐群 ,  普里亚达希·潘达 ,  乔纳森·C·肖

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/67

Abstract: 描述形成DRAM位线以改进线边缘粗糙度(LER)并降低电阻的方法。所述方法包含以下步骤：将惰性物质注入到基板上的具有第一晶粒尺寸的位线金属层中，以形成具有第二晶粒尺寸的非晶化位线金属层，所述第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸。接着将膜堆叠物沉积于非晶化位线金属层上。蚀刻膜堆叠物和非晶化位线金属层，以于基板上形成图案化膜堆叠物。热退火基板上的图案化膜堆叠物。

公开(公告)号：CN113474890A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080011760.6

申请日：2020-02-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  姜声官 ,  刘乐群

IPC: H01L27/108

Abstract: 描述了一种存储器装置。所述存储器装置包括延伸穿过交替的存储器层和介电层的堆叠的多个位线。存储器层的每一者包括单晶状硅层，且包括第一字线、第二字线、第一电容器和第二电容器。还描述了形成堆叠存储器装置的方法。