-
公开(公告)号：CN118056268A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202280067105.1
申请日：2022-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
Abstract: 本文提供兆声波清洁腔室的实施方式。在一些实施方式中，兆声波清洁腔室包括：腔室主体，界定该腔室主体中的内部空间；基板支撑件，支撑设置于该内部空间中的基板；供应管，包括透明材料，该透明材料被构造为引导清洁流体至该基板支撑件；兆声波功率产生器，耦接至该供应管以提供兆声波功率至该清洁流体；兆声波转换器，耦接至该兆声波功率产生器及该供应管以在该清洁流体中产生兆声波波动及在该清洁流体中形成腔体，其中该兆声波转换器被构造为引导该兆声波波动及腔体朝向该基板支撑件；及一个或多个传感器，该一个或多个传感器被构造为产生信号，该信号指示该清洁流体中的该腔体的特性。
-
公开(公告)号：CN117859196A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056107.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 小川洋辉 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
Abstract: 一种用于清洁基板的清洁装置，包括：灯，所述灯用于在照射区域中发射紫外线辐射；外壳，所述外壳容纳灯；水偏转器，在外壳下方间隔开来，水偏转器具有用于接收臭氧水的供应的水入口及用于将通过灯照射的臭氧水排放至水偏转器下方的基板处理区域中的水出口，且在水入口及水出口之间界定水流动路径，水流动路径在照射区域中延伸；上部反射器，沿着灯且在灯上方延伸；及下部反射器，沿着水偏转器且在水偏转器下方延伸，其中上部反射器及下部反射器至少部分地界定照射区域，且将紫外线辐射反射朝向水流动路径，且其中下部反射器使基板与通过灯发射的紫外线辐射屏蔽。
-
公开(公告)号：CN116888717A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280015306.7
申请日：2022-02-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及具有UV辐射产生器温度控制的氧清洁腔室及原子氧清洁基板的方法。原子氧清洁腔室包括工艺腔室和耦接至工艺腔室的冷却腔室以及将工艺腔室从冷却腔室密封地分隔的分隔件。紫外线(UV)辐射产生器设置在冷却腔室中，并且提供UV辐射通过分隔件进入工艺腔室中。气体分配组件在工艺腔室中的基座的上表面之上分配臭氧，并且冷却剂分配组件将冷却气体分配至冷却腔室中以冷却UV辐射产生器。通过主动地冷却UV辐射产生器，产生在稳定波长下的更高强度UV辐射，亦即，没有通常与高功率UV辐射产生器输出相关的波长漂移。
-
公开(公告)号：CN117136340A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280027343.X
申请日：2022-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文提供了用于烘烤基板的烘烤腔室及使用其的方法的实施方式。在某些实施方式中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：用于清洁基板的湿式清洁腔室；及烘烤腔室，其被配置成加热基板以移除在湿式清洁腔室中执行的湿式清洁处理之后剩余的残留物或雾气，烘烤腔室包含：封闭内部容积的腔室主体；布置于内部容积中的加热器，其中加热器配置成在使用期间具有约100摄氏度至约400摄氏度的表面温度；被配置成支撑布置于内部容积中的基板的基板支撑件，其中基板支撑件与加热器具有直接视线，使得加热器通过对流加热基板支撑件；及耦接至内部容积的气体入口及气体出口。
-
公开(公告)号：CN112703588A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980060032.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式涉及氧清洁腔室和原子氧清洁基板的方法。氧清洁腔室和原子氧清洁基板的方法提供原位产生原子氧以氧化基板表面上的材料。原子氧清洁腔室包括腔室主体、腔室盖、由腔室主体和腔室盖界定的处理容积、包括一个或多个UV辐射源的UV辐射产生器、设置在处理容积中的基座，以及气体分配组件。基座具有对应于从UV辐射产生器到基座的上表面的距离的处理位置。气体分配组件经构造以连接至臭氧产生器，以在基座的上表面上方分配臭氧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101144973B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710140139.6
申请日：2007-08-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 马德哈唯·R·钱德拉乔德 , 阿杰伊·库玛
IPC: G03F1/14 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了刻蚀EUV光掩模的方法的实施方式。在一个实施方式中，刻蚀远紫外光掩模的方法包括提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀自掩模层；以及使用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。
-
公开(公告)号：CN117121641A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027516.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
IPC: H05H1/24
Abstract: 方法及设备利用介电阻挡物放电(DBD)等离子体来处理样品，用于在光掩模应用之前进行表面改质及用于进行光掩模清洁。在一些实施方式中，一种用AP等离子体处理表面的方法包括在点燃板之上点燃等离子体，其中AP等离子体由位于点燃板上方的AP等离子体反应器的一或更多个等离子体头形成；用光发射光谱仪(OES)传感器监测AP等离子体的特性以确定是否获得稳定的AP等离子体，且若获得稳定的AP等离子体，则将AP反应器移动至辅助板的中央开口之上，其中中央开口包含处理中的样品，且其中辅助板在处理期间减少样品上的AP等离子体电弧放电。AP反应器在辅助板的中央开口之上来回扫描，同时保持稳定的AP等离子体来处理样品。
-
公开(公告)号：CN117120936A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027209.X
申请日：2022-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文提供用于烘烤光掩模的烘烤腔室的实施方式。在某些实施方式中，一种烘烤腔室包括：腔室主体，包围第一内部空间及设置于第一内部空间下方且从第一内部空间流体独立的第二内部空间；辐射热源，设置于第一内部空间中；光掩模支撑结构，配置成支撑设置于第二内部空间中的光掩模；窗，设置于第一内部空间及第二内部空间之间，其中窗以对热辐射为穿透的材料制成；第一气体入口及第一气体出口，耦合至第一内部空间；及第二气体入口及第二气体出口，在第二内部空间的相对端上耦合至第二内部空间，以促进工艺气体的流动横向通过第二内部空间且跨越光掩模支撑结构。
-
公开(公告)号：CN117120935A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027161.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴半秋 , 哈立德·马哈姆雷 , 埃利亚胡·什洛莫·达甘
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文提供了烘烤腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种用于烘烤基板的烘烤腔室包括：腔室主体，围封内部容积；加热器，设置在该内部容积中，其中该加热器被配置为在使用期间具有约100摄氏度至约400摄氏度的表面温度；围板，与该加热器相对地设置在内部容积中，其中该围板包括与气体入口流体耦接的中央开口；多个基板升降销，被配置为在内部容积中将基板支撑在加热器与围板之间，其中该围板包括多个第一开口以促进多个基板升降销；及气体出口，与该围板相对地设置在该腔室主体中，以使得穿过内部容积的气流路径从气体入口延伸至加热器周围，并且至气体出口。
-
公开(公告)号：CN113169047A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079405.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/78 , G03F7/42 , G03F7/34 , G03F1/62 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本揭示内容的实施方式通常提供了用于从光掩模去除用于固持皮层的附接特征的设备和方法。在一个实施方式中，一种用于处理光掩模的附接特征去除设备包括附接特征拉拔器和线圈组件，附接特征拉拔器包括致动器和与致动器耦接的夹具，夹具适于夹持附接特征，线圈组件与附接特征相邻设置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.015 seconds)
