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公开(公告)号：CN114888715B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210494281.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B49/10 , G05B19/042 , G05B19/048 , G06N20/00 , G06N3/0464 , G06N3/063 , G06N3/084 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及抛光系统、抛光基板的方法和执行该方法的计算机存储介质。在抛光系统和抛光方法中，针对传感器的每次扫描，从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对每次扫描，基于该抛光垫的该厚度来调整该些测量到的信号值的一部分。针对多次扫描中的每次扫描和多个不同位置中的每个位置，生成表示该位置处的该层的厚度的值。此举包括使用由机器学习来构造的一个或多个处理器来处理这些调整后信号值。基于表示该多个不同位置处的该些厚度的该些值来检测抛光终点或更改抛光参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110663108B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880033408.5
申请日：2018-05-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普雷塔姆·拉奥 , 丹尼斯·伊万诺夫 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 欧岳生
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 此处提供用于整个半导体批料上的均匀热分布的方法和设备。根据一个实施方式，用于半导体处理的微波炉，包含：热外壳，具有腔体和多个输入通口；功率源，配置成经由多个输入通口将微波信号提供至热外壳的腔体；移相器，设置于功率源与输入通口之间，其中移相器配置成在提供至移相器的两个或更多个信号之间改变相位差；和控制器，通信耦合至移相器，且配置成控制两个或更多个信号之间的相位差。
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公开(公告)号：CN114888715A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210494281.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B49/10 , G05B19/042 , G05B19/048 , G06N20/00 , G06N3/04 , G06N3/063 , G06N3/08 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及抛光系统、抛光基板的方法和执行该方法的计算机存储介质。在抛光系统和抛光方法中，针对传感器的每次扫描，从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对每次扫描，基于该抛光垫的该厚度来调整该些测量到的信号值的一部分。针对多次扫描中的每次扫描和多个不同位置中的每个位置，生成表示该位置处的该层的厚度的值。此举包括使用由机器学习来构造的一个或多个处理器来处理这些调整后信号值。基于表示该多个不同位置处的该些厚度的该些值来检测抛光终点或更改抛光参数。
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公开(公告)号：CN111246970B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201980005214.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/10 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及抛光系统、抛光基板的方法和执行该方法的计算机存储介质。在抛光系统和抛光方法中，针对传感器的每次扫描，从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对每次扫描，基于该抛光垫的该厚度来调整该些测量到的信号值的一部分。针对多次扫描中的每次扫描和多个不同位置中的每个位置，生成表示该位置处的该层的厚度的值。此举包括使用由机器学习来构造的一个或多个处理器来处理这些调整后信号值。基于表示该多个不同位置处的该些厚度的该些值来检测抛光终点或更改抛光参数。
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公开(公告)号：CN111246970A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201980005214.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/10 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 针对传感器的每次扫描，从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对每次扫描，基于该抛光垫的该厚度来调整该些测量到的信号值的一部分。针对多次扫描中的每次扫描和多个不同位置中的每个位置，生成表示该位置处的该层的厚度的值。此举包括使用由机器学习来构造的一个或多个处理器来处理这些调整后信号值。基于表示该多个不同位置处的该些厚度的该些值来检测抛光终点或更改抛光参数。
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公开(公告)号：CN110663108A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201880033408.5
申请日：2018-05-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普雷塔姆·拉奥 , 丹尼斯·伊万诺夫 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 欧岳生
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 此处提供用于整个半导体批料上的均匀热分布的方法和设备。根据一个实施方式，用于半导体处理的微波炉，包含：热外壳，具有腔体和多个输入通口；功率源，配置成经由多个输入通口将微波信号提供至热外壳的腔体；移相器，设置于功率源与输入通口之间，其中移相器配置成在提供至移相器的两个或更多个信号之间改变相位差；和控制器，通信耦合至移相器，且配置成控制两个或更多个信号之间的相位差。
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