公开(公告)号：CN116998008A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280013630.5

申请日：2022-10-18

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 燕英强 ,  胡川 ,  凌云志 ,  郑伟 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L23/498

摘要： 本申请的实施例提供了一种扇出封装结构及其制备方法，涉及芯片技术领域。本申请实施例提供的扇出封装结构，以及本申请实施例提供的制备方法制备得到的扇出封装结构，在芯片的功能面之间具有芯片间精细内互连线路，使相邻芯片的精细互连引脚焊盘形成电互连。因此，本申请提供的扇出封装结构以及本申请提供的制备方法所制得的封装结构简化工艺流程、节约成本。

公开(公告)号：CN116600555A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310585258.1

申请日：2023-05-23

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 凌云志 ,  刘欣 ,  胡川 ,  燕英强 ,  陈志涛

IPC分类号： H05K9/00

摘要： 本发明公开一种用于柔性电磁屏蔽纸的电磁屏蔽模板及其制备方法、柔性电磁屏蔽纸及其制备方法，电磁屏蔽模板包括临时载板；设置在临时载板上的电磁屏蔽单元，电磁屏蔽单元包括至少两个导电纳米线模块，所有的导电纳米线模块均相对临时载板朝向一特定方向倾倒，且倾倒的导电纳米线模块在特定方向上依次相互搭接以形成能够完全覆盖其限定的屏蔽区域的导电网络结构。由此，电磁屏蔽单元能够完全覆盖其限定的屏蔽区域，不会产生电磁泄露；同时，由于构成电磁屏蔽单元的依次排布的导电纳米线模块通过部分堆叠搭接形成导电网络结构，使得电磁波在其中的传播路线延长，从而获得更多折射和反射的机会，增强了电磁波的逐层衰减，提高电磁屏蔽效果。

公开(公告)号：CN115985791A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310093245.2

申请日：2023-02-01

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 何思亮 ,  凌云志 ,  崔银花 ,  郑伟 ,  胡川 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本申请实施例提供一种甲酸气氛下的键合方法和增强凸点互连结构键合方法，涉及芯片封装技术领域。在第一器件的第一管脚的生长位点内部填充铜柱，并在铜柱顶端制备低熔点焊料帽；在第二器件的第二管脚的生长位点内部填充低熔点焊料，形成低熔点焊料层，随后将纳米金属颗粒填入第二管脚的生长位点；导入甲酸气氛实施预烧结；将第一管脚与第二管脚对准后，在保护气氛下实施温度在低熔点焊料的熔点以上的热压键合。预烧结能使纳米金属颗粒形成多孔结构，加速纳米金属颗粒之间、纳米金属颗粒与低熔点焊锡之间接触与扩散，最终实现快速互连。

公开(公告)号：CN115274182A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210823428.0

申请日：2022-07-13

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 凌云志 ,  刘星宇 ,  马建国 ,  毕宇浩 ,  胡川 ,  陈志涛

IPC分类号： H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉公开了一种零压阻系数可拉伸柔性电子器件的制备方法，其首先在临时载板上设计导电模块单元的图案，曝光显影后得到需要生长导电模块单元的区域，之后在临时载板表面对纳米材料的生长位点进行图案化处理，将临时载板表面的光刻胶洗去后，即可在设计好的导电模块单元图案上生长垂直金纳米线，之后通过毛细作用力使类多米诺骨牌导电模块单元定向有序组装，导电模块单元倒塌后部分重叠，形成导电网络，将有序倒塌的导电多米诺骨牌网络转移至可拉伸基底，构成可以在受到外力拉伸时保持稳定的电阻率的微纳结构，从而制备零压阻系数柔性电子传感器，解决可拉伸柔性电子器件在受到外力拉伸时电阻率变化导致的信号干扰问题。

公开(公告)号：CN113568530B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110873285.X

申请日：2021-07-30

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 凌云志 ,  李子白 ,  崔银花 ,  胡川 ,  陈志涛

IPC分类号： G06F3/044

摘要： 本发明公开了一种用于触摸屏的单层导电膜结构的制作方法，其包括以下步骤：分别制备具有连接桥导电网络结构的转移胶和涂布有连接桥绝缘材料的导电膜结构；将转移胶上的全部连接桥导电网络结构或部分连接桥导电网络结构与导电膜结构上的连接桥绝缘材料相对应设置，采用将转移胶与导电膜结构复合，形成单层的、具有在两个方向上各自独立的导通的电极组的单层导电膜结构。通过采用该方法，先分别制备连接桥导电网络结构和导电膜结构，再将其复合形成单层导电膜结构，与现有的单纯涂布工艺形成的导电膜相比，其工艺稳定性更高，从而能够形成稳定有效的欧姆接触，显著提高连接桥联通距离，具有很高的商业化价值。

公开(公告)号：CN113795916A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202180002085.5

申请日：2021-08-05

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 王垚 ,  凌云志 ,  崔银花 ,  胡川 ,  李子白 ,  赵维 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

摘要： 本申请涉及能够低成本准确性高地实现芯片堆叠封装的芯片堆叠封装结构以及芯片堆叠封装方法，所述封装结构包括：基底芯片层，包括在正面具有引脚的基底芯片，至少一层堆叠芯片层，依次形成于所述基底芯片层，具有芯片间绝缘层以及贴装于所述芯片间绝缘层且在正面具有多个引脚的至少一个堆叠芯片，所述堆叠芯片的正面朝向基底芯片的正面，以及顶层绝缘层，堆叠于距离所述基底芯片层最远的所述堆叠芯片层；在所述芯片间绝缘层的内部形成有使对应的引脚垂直连通的垂直互连孔，所述对应的引脚指规定的需要进行电连接的引脚，在所述垂直互连孔的内部，形成有将对应的引脚电连接的导电材料层，所述堆叠芯片在贴装于所述芯片间绝缘层之后被减薄减小。

公开(公告)号：CN112769411A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011621779.0

申请日：2020-12-30

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 向迅 ,  燕英强 ,  凌云志 ,  王垚 ,  胡川 ,  陈志涛

IPC分类号： H03H9/64 ,  H03H3/08

摘要： 本发明公开了一种声表面波芯片的晶圆级封装方法及装置，所述方法包括：在晶圆基板上覆盖一层腔体保护层；在所述腔体保护层上覆盖一层封装顶盖；在所述封装顶盖上开设多个通孔，所述多个通孔的位置分别对应于多个引脚焊盘的正上方；将每个通孔与其对应的引脚焊盘电性连接；对所述晶圆基板进行切割，获得多个含有单颗声表面波芯片的封装元器件。采用本发明实施例能简化工艺流程，从而提高芯片封装的效率，降低芯片封装的成本。

公开(公告)号：CN116888734A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280013573.0

申请日：2022-10-24

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 燕英强 ,  胡川 ,  郑伟 ,  凌云志 ,  陈志宽 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本公开提供了一种扇出型封装结构及其制备方法。扇出型封装结构可以包括包封层和嵌埋在包封层中的天线射频模组组件和一个或更多个电子部件。天线射频模组组件包括射频基板以及布设在射频基板上的天线阵列和一个或更多个射频器件。天线射频模组组件嵌埋在包封层的第一侧，使得天线阵列从包封层的第一侧完全露出，并且天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚和电子部件的管脚位于同一平面内。扇出型封装结构还可以包括：设置于包封层的第一侧的表面上的第一再布线层，设置于包封层的第二侧的表面上的第二再布线层，以及设置于第二再布线层的与包封层相背的一侧上的导电焊球和/或凸点。第一再布线层构造成与天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚中的至少一部分管脚电连接以及与一个或更多个电子部件的管脚中的至少一部分管脚电连接。包封层中形成有用于将天线射频模组组件的设置在射频基板的与天线阵列相反的一侧上的管脚与第二再布线层电连接以及将第一再布线层与第二再布线层电连接的包封层互连导电柱。第二再布线层构造成与包封层互连导电柱电连接以及与导电焊球和/或凸点电连接。本公开的实施方式提供的扇出型封装结构及其制备方法能够有效减小射频模组的体积、降低射频模组的制造成本，并且还能够明显降低介电损耗，满足高频信号传输需求。

公开(公告)号：CN116454057A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310370607.8

申请日：2023-04-07

申请人： 安捷利(番禺)电子实业有限公司 ,  广东省科学院半导体研究所

发明人： 凌云志 ,  齐伟 ,  张筱瑾 ,  胡川 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种基于LPC材料的封装载板的制备方法，包括以下步骤：S1.在临时载板上涂布临时键合层，再将第一LCP层涂布至所述临时键合层上；S2.在所述第一LCP层上制作精细金属线路；S3.在S2精细金属线路表面热压第二LCP层；S4.将所得LCP复合膜开孔，孔金属化处理；重复步骤S2‑S4；S5.在S4所得LCP层表面制备精细线路，焊接分立器件；S6.填充缝隙，固化；塑封所述分立器件与LCP层；S7.剥离临时键合层，在第一层LCP下表面植锡球。本发明采用临时载板上热压LCP膜材料，所制得的封装载板的翘曲度及粗糙度可控，还可以进行高密度电感耦合信号传输。

公开(公告)号：CN115910821A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310226006.X

申请日：2023-03-10

申请人： 广东省科学院半导体研究所

发明人： 向迅 ,  胡川 ,  燕英强 ,  凌云志 ,  陈志宽 ,  陈志涛

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

摘要： 本发明公开一种芯片粒精细互连封装结构及其制备方法，方法包括在基板的第一侧面上贴装至少二颗芯片，并在芯片的第一表面上制备临时键合层；在基板的第二侧面制备塑封层，其中，基板上制备有微孔，塑封层的塑封材料能够自所述微孔流入至基板的第一侧面与临时键合层之间，以制备形成塑封层；释放临时键合层，并在相邻的两颗芯片的第一引脚阵列上键合用于将相邻的两颗芯片电气连通的硅桥结构；在塑封层上制备积层；在积层上制备焊锡球。本发明提供的方案使得在后续的工艺中，无须去除基板，也无须对塑封层的相应位置进行研磨减薄处理，因而简化了封装的工艺步骤，降低了封装成本。