基于半金属的近场热辐射调控器及其辐射热流调控方法

    公开(公告)号:CN119223072A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411335143.8

    申请日:2024-09-24

    Abstract: 本发明涉及近场热辐射的技术领域,提出基于半金属的近场热辐射调控器及其辐射热流调控方法,包括发射体和接收体;其中,所述发射体依次包括第一半金属层、第一介质层和第二半金属层;所述接收体依次包括第三半金属层、第二介质层和第四半金属层;所述第二半金属层与所述第三半金属层相对设置,且所述第二半金属层与所述第三半金属层之间存在可调间距;所述近场热辐射调控器能够利用半金属的高表面态密度来增强辐射热流与能量利用率,并能够通过调控可调间距实现对近场热辐射进行调控的目的。

    一种声速测量实验演示装置及实验方法

    公开(公告)号:CN119028208A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411137799.9

    申请日:2024-08-19

    Abstract: 本发明涉及教学用具领域,具体涉及到一种声速测量实验演示装置及实验方法,其中的实验演示装置包括波形发生器、发射换能器、水箱、接收换能器、示波器以及能够调整接收换能器与发射换能器之间水平距离的移动装置,所述发射换能器的发射端和所述接收换能器的接收端位于所述水箱中,所述波形发生器与所述接收换能器连接,所述波形发生器和所述接收换能器均与所述示波器连接。通过水中声速、待测材料宽度和发射端到接收端的水平距离,计算得到声音通过待测材料的声速,通过移动装置移动接收端位置,可以改变发射端到接收端的水平距离,改变声程,得到多组声速数据,可以通过取平均值减少误差。

    一种基于X射线荧光光谱的元素定量分析方法和系统

    公开(公告)号:CN114354667B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202210019329.7

    申请日:2022-01-10

    Abstract: 本发明涉及一种基于X射线荧光光谱的元素定量分析方法和系统,先对待测试样品进行测试,得到原始谱图,然后根据原始谱图计算待测试样品中各元素的浓度预估值,最后以浓度预估值作为基本参数法的浓度初始值,基于基本参数法进行迭代计算,得到待测试样品中各元素的浓度实际值,进而对基本参数法进行优化,为基本参数法提供更加准确的浓度初始值,在基于基本参数法进行迭代计算时所用计算时间大大减少,提高计算效率,且能解决基体效应中吸收增强效应所带来的负面影响的问题,更加精确可靠的提取待测试样品中各个元素的净强度,从而快速、精确的获得元素定量分析结果。

    一种外尔半金属量子点可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器

    公开(公告)号:CN116979357A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202311094945.X

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明涉及光纤激光器技术领域,特别涉及一种外尔半金属量子点可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器。本发明提供了一种外尔半金属量子点可饱和吸收体,包括:NbP量子点和拉锥光纤,所述NbP量子点材料附着在所述拉锥光纤锥区;本发明采用NbP量子点制备可饱和吸收体,该外尔半金属量子点可饱和吸收体应用在光纤激光器中,能对激光光束锁模提供一个稳定的、性能良好的激光输出。

    一种基于声学超表面结构的声涡旋波发生器

    公开(公告)号:CN109994100B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201910276981.5

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于声学超表面结构的声涡旋波发生器,包括m个超胞,超胞包括N个超胞单元,各个超胞单元按照预设顺序依次连接,各个超胞单元的折射率按照预设顺序逐个增加,以使相邻两个超胞单元的相位差为2π/N,其中,N不小于2,m不小于1;声涡旋波发生器为环状结构,其中,当m=1时,超胞中的第一个超胞单元的首端和最后一个超胞单元的末端连接;当m≥2时,各个超胞首尾依次连接。本申请通过改变各个超胞单元的折射率来实现各个超胞单元的相位变化,不需要对超胞单元的结构进行设计,结构简单,使用过程中有利于提高声涡旋波发生器的整体透射率和转换效率。

    一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115472685A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202210926911.1

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明涉及一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用,该晶体管包括由少层二维导电层、少层二维铁电AgInP2Se6层和少层二维半导体沟道层依次层叠组成的三层全二维异质结构,源极和漏极位于所述二维导电层上;栅极位于所述二维导电层上,不与所述二维铁电AgInP2Se6层及所述沟道层接触。该全二维铁电型超陡坡晶体管呈现出了超陡峭的亚阈值摆幅、极低的操作电压和超快的操作频率,为未来大规模集成电路的发展提供了新的路径,在一实施例中,该晶体管在室温下的亚阈值摆幅最低可达到10mV/decade,突破了传统场效应管的理论极限值(60mV/decade),其操作电压最小可达0.1V。

    一种二维六方晶格声子晶体及其波导结构

    公开(公告)号:CN114967188A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210339781.1

    申请日:2022-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种二维六方晶格声子晶体,包括空气板和谐振腔,所述谐振腔设置为若干,且均设置在所述空气板上,底部与所述空气板连通,形成复合原胞;通过改变空气板一面的谐振腔之间的距离实现能带反转,进而实现声学量子自旋霍尔效应。上述方案中,该结构由空气板‑谐振腔构成,能够在更低的频率下实现声赝自旋霍尔效应,拓扑保护的边界态对缺陷具有很强的鲁棒性,同时由于空气腔中存在声学共振,亚波长尺寸声波传输得以实现,亚波长和鲁棒性的声学拓扑波导有助于实现声学器件的小型化和声波的无损传输。

    一种改性石墨烯/钨基纳米片/镁-氧化锌复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113332974B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202110615388.6

    申请日:2021-06-02

    Abstract: 本申请属于光催化材料技术领域。本申请提供了一种改性石墨烯/钨基纳米片/镁‑氧化锌复合材料及其制备方法。通过超声剥离法分别制备硒化铟纳米片和钨基纳米片,与石墨烯混合,再以锌盐和镁盐为原料,在络合剂的参与下制得改性石墨烯/钨基纳米片/镁‑氧化锌复合材料,有效增大复合材料的光响应范围、提高复合材料对光的吸收效率,同时保持良好的稳定性,进而改善复合材料的光催化性能,在太阳光下对罗丹明的降解效率相比改性前提高了15%,在污水处理领域拥有很大的应用潜力。本申请的制备方法过程简单、满足环保节能要求。

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