公开(公告)号：CN115472685A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210926911.1

申请日：2022-08-03

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 杨玉珏 ,  龙胤 ,  霍能杰 ,  束开翔 ,  刘子浩 ,  张欣 ,  董华锋 ,  吴福根

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种全二维铁电型超陡坡晶体管及其制备方法与应用，该晶体管包括由少层二维导电层、少层二维铁电AgInP2Se6层和少层二维半导体沟道层依次层叠组成的三层全二维异质结构，源极和漏极位于所述二维导电层上；栅极位于所述二维导电层上，不与所述二维铁电AgInP2Se6层及所述沟道层接触。该全二维铁电型超陡坡晶体管呈现出了超陡峭的亚阈值摆幅、极低的操作电压和超快的操作频率，为未来大规模集成电路的发展提供了新的路径，在一实施例中，该晶体管在室温下的亚阈值摆幅最低可达到10mV/decade，突破了传统场效应管的理论极限值(60mV/decade)，其操作电压最小可达0.1V。