一种外尔半金属量子点可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器

    公开(公告)号:CN116979357A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202311094945.X

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本发明涉及光纤激光器技术领域,特别涉及一种外尔半金属量子点可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器。本发明提供了一种外尔半金属量子点可饱和吸收体,包括:NbP量子点和拉锥光纤,所述NbP量子点材料附着在所述拉锥光纤锥区;本发明采用NbP量子点制备可饱和吸收体,该外尔半金属量子点可饱和吸收体应用在光纤激光器中,能对激光光束锁模提供一个稳定的、性能良好的激光输出。

    一种可饱和吸收体GeSe复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115117726A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210895436.6

    申请日:2022-07-26

    Abstract: 本申请属于脉冲激光技术领域,尤其涉及一种可饱和吸收体GeSe复合材料及其制备方法和应用。其中,包括可饱和吸收体GeSe纳米片和有机包覆层的可饱和吸收体GeSe复合材料作为非线性器件放置在脉冲激光器中的腔体中,可以起到幅度自调制的作用,抑制激光器连续波,实现脉冲纳秒输出,从而解决现有技术中可饱和吸收体的种类还有待提高的技术问题。

Patent Agency Ranking