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公开(公告)号：CN112542540B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910890733.X
申请日：2019-09-20
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。
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公开(公告)号：CN111342345B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811545610.4
申请日：2018-12-18
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 一种GaAs基量子点激光器的制备方法，通过三次生长N波导层，生长第二N波导层时相对生长第一N波导层的Ga通入量提高，而生长第三N波导层时相对第二N波导层时降低，通过三次生长P波导层，生长第二P波导层时相对生长第一P波导层的Ga通入量提高，而生长第三P波导层时相对第二P波导层时降低，实现了在量子点有源区下方生长三层不同流量的GaInP的应力缓冲层，在量子点有源区上方生长三层不同流量的GaInP的应力缓冲层，减低限制性生长所带来的应力，为量子点的形成提供最佳生长条件，有利于量子点的形成和聚集密度，并且通过应力释放，提高提高激光器功率，降低阈值电流，提高量子点质量。
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公开(公告)号：CN112582877A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910934215.3
申请日：2019-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、N型DBR层、AlxGa1‑xInP下波导层、量子阱、AlxGa1‑xInP上波导层、P型DBR层、GaAs窗口层；所述N型DBR层自下而上包括低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层、高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层，所述低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层在GaAs缓冲层上生长，所述AlxGa1‑xInP下波导层在高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层上生长。本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，工艺设计合理，操作简单，不仅有效解决了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的问题，同时还通过高低不同反射率的DBR层堆叠，实现光子的最大行程反射，提高了有源区复合效率，增加激光器功率，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN112582877B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910934215.3
申请日：2019-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、N型DBR层、AlxGa1‑xInP下波导层、量子阱、AlxGa1‑xInP上波导层、P型DBR层、GaAs窗口层；所述N型DBR层自下而上包括低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层、高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层，所述低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层在GaAs缓冲层上生长，所述AlxGa1‑xInP下波导层在高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层上生长。本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，工艺设计合理，操作简单，不仅有效解决了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的问题，同时还通过高低不同反射率的DBR层堆叠，实现光子的最大行程反射，提高了有源区复合效率，增加激光器功率，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN112542540A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910890733.X
申请日：2019-09-20
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。
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公开(公告)号：CN105834171A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610362921.1
申请日：2016-05-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111342345A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811545610.4
申请日：2018-12-18
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 一种GaAs基量子点激光器的制备方法，通过三次生长N波导层，生长第二N波导层时相对生长第一N波导层的Ga通入量提高，而生长第三N波导层时相对第二N波导层时降低，通过三次生长P波导层，生长第二P波导层时相对生长第一P波导层的Ga通入量提高，而生长第三P波导层时相对第二P波导层时降低，实现了在量子点有源区下方生长三层不同流量的GaInP的应力缓冲层，在量子点有源区上方生长三层不同流量的GaInP的应力缓冲层，减低限制性生长所带来的应力，为量子点的形成提供最佳生长条件，有利于量子点的形成和聚集密度，并且通过应力释放，提高提高激光器功率，降低阈值电流，提高量子点质量。
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公开(公告)号：CN105834171B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610362921.1
申请日：2016-05-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。
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