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公开(公告)号：CN118801220A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410818491.4
申请日：2024-06-24
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/02315 , H01S3/0941
摘要： 本申请提供的一种半导体激光器面阵泵浦源涉及半导体激光器技术领域。具体包括底座，底座上设置有若干个阵列布置的叠阵单元组，叠阵单元组包括若干个阵列布置叠阵单元，叠阵单元组的阵列方向与叠阵单元组中叠阵单元的阵列方向垂直。叠阵单元包括二级热沉和设置于二级热沉上的多巴阵列。二级热沉内设置有冷却流道。多巴阵列包括第一绝缘片，第一绝缘片上设置有多个一级热沉，相邻的一级热沉之间设置有巴条。多巴阵列的两端分别设置有电极片。叠阵单元组中相邻两个叠阵单元通过电极片贴合的方式形成串联，相邻的两个叠阵单元组通过电极连接片串联。该泵浦源不仅能够保证散热的均匀性，而且在减小巴条间距的同时兼具了方便检修的特性。
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公开(公告)号：CN118630578A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410715206.6
申请日：2024-06-04
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有快轴模式控制结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。外延片包括衬底，衬底上由下至上依次设置有缓冲层、N限制层、下波导层、Alx3Ga1‑x3As下载流子泄露抑制层、Alx4Ga1‑x4As下模式控制层、量子阱层、Alx5Ga1‑x5As上模式控制层、Alx6Ga1‑x6As上载流子泄露抑制层、上波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明在量子阱上下增加模式控制层和载流子泄露抑制层，通过优化模式控制层和载流子泄露抑制层的带隙、增益、折射率分布、模式强度、限制因子，将基模强度提升，并且降低一阶模、二阶模强度，在不改变量子阱位置的情况下，实现基膜稳定激射。
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公开(公告)号：CN105834171A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610362921.1
申请日：2016-05-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 一种利用MOCVD设备对石墨托盘进行腐蚀清洗的方法，包括以下步骤：（1）将石墨托盘放入MOCVD设备的反应室中；（2）调整反应室和反应室上盖石英制顶板的温度；（3）通入氯化氢，进行预腐蚀；（4）提升氯化氢流量，根据石墨托盘生长材料厚度来决定腐蚀的速率；（5）停止通入氯化氢，对石墨托盘进行烘烤；（6）关闭加热，反应室温度降至100℃以下时，腐蚀清洗完毕。本发明直接在MOCVD设备的基础上对石墨盘进行腐蚀，不必额外进行设备改造，通过氯化氢腐蚀对石墨托盘进行清洗，既解决了腐蚀均匀性的难题，又对腐蚀程度进行了精确把握，间接减小了对石墨托盘的影响，延长了石墨托盘的使用寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118352446A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410450512.1
申请日：2024-04-15
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高内量子效率的LED正极性外延结构及其制备方法，属于发光二极管技术领域，包括衬底和衬底上依次设置的buffer层、DBR层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层和P型电流扩展层；有源层为阱层和垒层交替排列的周期性结构，阱层为GaInP，垒层为AlGaInP，垒层一个阱层和垒层为一个周期，周期数为10‑20，有源层厚度为0.15μm‑0.2μm；垒层中添加As，用于改变垒层的晶格大小从而产生与阱层相反且大小相当的应变量。本发明减小外延生长中存在的应力，提升多量子阱层的质量从而提高器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN118249209A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410396878.5
申请日：2024-04-03
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有空穴扩展层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体材料层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层上方设置有顶部介质DBR层和P‑型欧姆电极，N‑型半导体材料层上方设置有N‑型欧姆电极，P‑型半导体材料层上侧中部内嵌设置有空穴扩展层。本发明在孔径下生长空穴扩展层层，利用空穴扩展层层与P‑型半导体材料形成的势垒对空穴产生扩展作用。
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公开(公告)号：CN117595072A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311412955.3
申请日：2023-10-30
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有渐变组分空穴加速层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、渐变组分空穴加速层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层下侧穿过电流限制层接触渐变组分空穴加速层，电流扩展层上方设置顶部介质DBR层和P‑型欧姆电极，N‑型半导体材料层上方设置有N‑型欧姆电极。本发明的渐变组分空穴加速层由三层P‑型AlInGaN材料交叠而成，形成的极化电场促进空穴的传输，位于中间的P‑型AlInGaN材料的Al组分大于两侧且为渐变分布，可以减少加速层中反向电场的影响。
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公开(公告)号：CN117353151A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311323394.X
申请日：2023-10-13
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有复合型P‑EBL的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、底部氮化物DBR、N‑型半导体材料层、多量子阱层、复合型P‑EBL、P‑型半导体材料层、电流限制层、电流扩展层；复合型P‑EBL由三层材料交叠而成，位于中间材料的Al组分低于两侧材料的Al组分，同时中间材料晶格常数大于两侧材料，且两侧的材料参数相同。本发明P‑EBL中插入了一层低Al组分材料，利用材料极化效应形成的电场给空穴赋能。此外，复合型P‑EBL插入层两侧的材料较薄，空穴隧穿几率增大，进一步减弱了P‑EBL对空穴的阻挡效应，提升了器件的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN116979364A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310949741.3
申请日：2023-07-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提出一种改善光束质量的宽条型半导体激光器及其制备方法。本发明激光器包括：层叠结构、脊波导、散热结构；层叠结构：包括自下至上依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层；脊波导：欧姆接触层两侧对称位置上设置有波导槽，波导槽贯穿欧姆接触层，并且波导槽底部下陷至P型限制层但不超过P型限制层，两波导槽之间形成脊波导；散热结构：脊波导上表面设置有散热结构，散热结构位于欧姆接触层中。本发明激光器可有效消除因热透镜效应以及载流子空间烧孔效应带来的折射率分布不均匀问题，进而有效提高半导体激光器芯片的光束质量。
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公开(公告)号：CN118783245A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410808859.9
申请日：2024-06-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种非对称势垒有源区808nm半导体激光器外延片及制备方法，属于光电子技术领域，由下自上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaAs N限制层、AlGaAs N波导层、InGaAsP N势垒层、InGaAsP量子阱层、GaAsP P势垒层、Alx5Ga1‑x5As P分级波导层、AlGaAs P限制层和GaAs帽层；本发明在InGaAsP/InGaAsP/GaAsP非对称势垒有源区结构基础上，结合P波导Al组分梯度分级分布，增加波导层与限制层的折射率差，降低了光场损耗，提高了光学限制因子，加强了波导层的光学限制能力，将光场集中在有源区中。
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公开(公告)号：CN118739027A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410472259.X
申请日：2024-04-19
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种氧化限制结构的808nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。器件由下到上依次包括N‑型欧姆接触电极、衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、Alx6Ga1‑x6As高Al组分层和欧姆接触层，Alx6Ga1‑x6As高Al组分层和欧姆接触层之间设置有氧化物绝缘限制层，氧化物绝缘限制层上侧设置有P‑型欧姆接触电极。本发明采用薄P限制层极端双不对称结构设计，在P限制层与帽层之间添加高Al组分层来补偿极薄限制层可能导致的基模场泄漏，从而压缩光场，降低损耗，提高输出功率和转换效率。
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