本发明涉及一种具有快轴模式控制结构的GaAs大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。外延片包括衬底，衬底上由下至上依次设置有缓冲层、N限制层、下波导层、Alx3Ga1‑x3As下载流子泄露抑制层、Alx4Ga1‑x4As下模式控制层、量子阱层、Alx5Ga1‑x5As上模式控制层、Alx6Ga1‑x6As上载流子泄露抑制层、上波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明在量子阱上下增加模式控制层和载流子泄露抑制层，通过优化模式控制层和载流子泄露抑制层的带隙、增益、折射率分布、模式强度、限制因子，将基模强度提升，并且降低一阶模、二阶模强度，在不改变量子阱位置的情况下，实现基膜稳定激射。