本发明涉及一种GaAs基超高亮度LED结构及其制备方法，该LED结构包括由下而上依次设置的N电极、GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、AlGaInP多量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层和P电极，P电极的周围设置有导热柱。本发明提供的GaAs基超高亮度LED结构，工作时的温度由普通LED的85℃‑100℃降为70℃‑85℃，相同尺寸下平均亮度高出20％。