本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、N型DBR层、AlxGa1‑xInP下波导层、量子阱、AlxGa1‑xInP上波导层、P型DBR层、GaAs窗口层；所述N型DBR层自下而上包括低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层、高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层，所述低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层在GaAs缓冲层上生长，所述AlxGa1‑xInP下波导层在高反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层上生长。本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，工艺设计合理，操作简单，不仅有效解决了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的问题，同时还通过高低不同反射率的DBR层堆叠，实现光子的最大行程反射，提高了有源区复合效率，增加激光器功率，具有较高的实用性。