公开(公告)号：CN1623200A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828680.4

申请日：2002-04-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 马田孝博 ,  守部峰生

IPC: G11B7/26

CPC classification number: B29D17/005 ,  G11B7/263

Abstract: 本发明提供一种形状复制方法，其特征在于包括以下步骤：将压模固定到平台，该压模在其表面上具有预定的花纹和中心开口；在压模的花纹表面上施加光固化树脂；在光固化树脂上固定具有开口的薄板形衬底以使衬底相对于压模保持在预定位置，其中衬底的开口直径小于压模的开口直径；从衬底的上方照射光以固化光固化树脂；以及将可插入压模开口的剥离元件压靠在围绕着衬底开口周围并延伸超过压模开口的一部分衬底上，从而将与衬底成一整体的光固化树脂从压模上剥离。

公开(公告)号：CN1725302A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200410091331.7

申请日：2004-11-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 川野浩康 ,  马田孝博 ,  守部峰生

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B5/7315 ,  G11B11/10586

Abstract: 本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜，或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金，该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如，使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。

公开(公告)号：CN103364959B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210587599.4

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤辉幸 ,  守部峰生 ,  马田孝博 ,  吉川浩宁 ,  伊藤隆

IPC: G02B27/22 ,  G02B27/01 ,  H04N13/04

Abstract: 本公开涉及三维显示装置及方法。一种三维（3D）显示装置包括：焦距为f1的设有一组沿特定方向排列的小透镜的第一光学部；以及焦距为f2的第二光学部，所述第二光学部将从所述第一光学部发出的N束平行光会聚并通过会聚射到各个小透镜上以使N束光偏离光轴。所述第一光学部和所述第二光学部之间的距离d1满足f2–f1≤d1≤f2，且距所述第二光学部的观看距离d2满足d2≈f2。

公开(公告)号：CN103364959A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210587599.4

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤辉幸 ,  守部峰生 ,  马田孝博 ,  吉川浩宁 ,  伊藤隆

IPC: G02B27/22 ,  G02B27/01 ,  H04N13/04

Abstract: 本公开涉及三维显示装置及方法。一种三维（3D）显示装置包括：焦距为f1的设有一组沿特定方向排列的小透镜的第一光学部；以及焦距为f2的第二光学部，所述第二光学部将从所述第一光学部发出的N束平行光会聚并通过会聚射到各个小透镜上以使N束光偏离光轴。所述第一光学部和所述第二光学部之间的距离d1满足f2–f1≤d1≤f2，且距所述第二光学部的观看距离d2满足d2≈f2。

公开(公告)号：CN1725302B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410091331.7

申请日：2004-11-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 川野浩康 ,  马田孝博 ,  守部峰生

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B5/7315 ,  G11B11/10586

Abstract: 本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜，或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金，该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如，使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。

公开(公告)号：CN101221773A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810001530.2

申请日：2008-01-04

Applicant: 富士通株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 伊藤健一 ,  菊地英幸 ,  中尾宏 ,  大岛弘敬 ,  马田孝博 ,  益田秀树 ,  西尾和之 ,  竹内光生 ,  伊达仁昭

IPC: G11B5/855 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/855

Abstract: 本发明提供了磁记录介质及其制造方法，其中，该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力；该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括：在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层；使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面；从所述金属层分离所述模子；通过纳米孔形成处理形成多孔层，在所述多孔层中，通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向；以及将磁材料填入所述纳米孔中。