公开(公告)号：CN103364959B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210587599.4

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 佐藤辉幸 ,  守部峰生 ,  马田孝博 ,  吉川浩宁 ,  伊藤隆

IPC: G02B27/22 ,  G02B27/01 ,  H04N13/04

Abstract: 本公开涉及三维显示装置及方法。一种三维（3D）显示装置包括：焦距为f1的设有一组沿特定方向排列的小透镜的第一光学部；以及焦距为f2的第二光学部，所述第二光学部将从所述第一光学部发出的N束平行光会聚并通过会聚射到各个小透镜上以使N束光偏离光轴。所述第一光学部和所述第二光学部之间的距离d1满足f2–f1≤d1≤f2，且距所述第二光学部的观看距离d2满足d2≈f2。

公开(公告)号：CN1582474A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01823910.2

申请日：2001-12-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山影让 ,  上村拓也 ,  玉野井健 ,  守部峰生 ,  庄野敬二

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B11/1058 ,  G11B11/10589

Abstract: 本发明是一种磁光记录介质，其特征在于至少包含在基底上依序形成的软磁层、保护层、上有伺服图案的树脂层、反射膜、下部电介质材料膜、记录膜、上部电介质材料膜和覆盖层。

公开(公告)号：CN1725302A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200410091331.7

申请日：2004-11-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 川野浩康 ,  马田孝博 ,  守部峰生

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B5/7315 ,  G11B11/10586

Abstract: 本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜，或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金，该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如，使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。

公开(公告)号：CN1689089A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823869.1

申请日：2003-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 饭田弘一 ,  守部峰生

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/007

CPC classification number: G11B7/24082 ,  G11B7/00718 ,  G11B7/0938

Abstract: 一种交替设置有多个凹槽(G)和多个凸区(L)的光盘(D)，其中，地址数据记录区域的结构是在凹槽(G)的两个侧壁上形成有同相位的一对摆动部(31a、31b)。由此，可以得到振幅大的推挽信号，有利于提高数据记录密度。

公开(公告)号：CN1151508C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN99106306.6

申请日：1999-04-29

Applicant: 富士通株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 沼田健彦 ,  守部峰生 ,  竹内厚 ,  千叶照夫

IPC: G11B20/12

CPC classification number: G11B20/1883 ,  G11B11/10584 ,  G11B2220/20

Abstract: 在一种可重写光学记录介质中，一个记录表面通过把径向间距间隔设置为常数而划分成多个区，并且在每个区中分配一个数据区域和一个用于缺陷扇区的备用区域。就每个区中的备用区域的容量而论，分配备用区域的预定总容量，从而备用区域的容量D2相对于数据区域的容量D1的备用比值K＝D2/D1变得几乎在诸区中相同。

公开(公告)号：CN1694163A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510059481.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 富士通株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 伊藤健一 ,  中尾宏 ,  菊地英幸 ,  守部峰生 ,  益田秀树

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  Y10T428/25

Abstract: 一种纳米孔结构，包括：金属矩阵；以及纳米孔，规则排列在该金属矩阵中，其中，所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔，以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质，包括：衬底；以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔，每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸，其中包含至少一种磁性材料，并且该多孔层为上述纳米孔结构。

公开(公告)号：CN1246705A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99117542.5

申请日：1999-08-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 福岛义仁 ,  竹内厚 ,  竹本宏之 ,  伊藤健一 ,  守部峰生 ,  沼田健彦

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10584

Abstract: 假设由基片处的衍射引起的相位差为Φbr,而由记录层的磁光克尔效应引起的相位差为Φmo,被格式化以在凹槽中记录信息的磁光记录媒体满足条件:－20°

公开(公告)号：CN1244703A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99110598.2

申请日：1999-08-09

Applicant: 索尼公司 ,  富士通株式会社

Inventor： 竹内厚 ,  福岛义仁 ,  竹本宏之 ,  伊藤健一 ,  守部峰生 ,  沼田健彦

IPC: G11B13/04

CPC classification number: G11B11/10515 ,  G11B11/10534 ,  G11B11/10595

Abstract: 在从磁光记录介质的一个记录层上读出信息信号时,采用MSR(磁感应超分辨率)技术对磁光记录介质施加一个读出头磁场,使得处在读出光点之内的一部分区域中受到读出光照射的磁性层在一个方向上磁化。采用这种MSR技术的磁光记录介质适用于将信息信号写在脊上的脊上记录方法,这样就能用很小的读出头磁场借助于MSR技术读出信息信号。

公开(公告)号：CN100481232C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410062476.4

申请日：2004-07-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 守部峰生 ,  松浦道雄

IPC: G11B17/22 ,  G11B33/04

CPC classification number: G11B17/225 ,  G11B23/0021 ,  G11B23/0316

Abstract: 本发明公开了一种存储介质库和存储介质仓。存储介质库保持多边形数据存储碟。该库包括用于容纳碟的盒、用于记录或获取关于每个存储碟的数据的驱动器单元、以及用于在容纳盒和驱动器单元之间传递存储碟的换碟器。每个存储碟包括记录部分和围绕记录部分的保持部分。保持部分形成有啮合凹口。容纳盒在内部具有支撑壁架，存储碟的保持部分接触所述支撑壁架。换碟器包括用于支撑存储碟的两个可延伸的臂。每个可延伸的臂具有要被插入所传递的存储碟的保持部分的凹口中的爪。

公开(公告)号：CN100395821C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510059481.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 富士通株式会社 ,  财团法人神奈川科学技术研究院

Inventor： 伊藤健一 ,  中尾宏 ,  菊地英幸 ,  守部峰生 ,  益田秀树

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855 ,  Y10T428/25

Abstract: 一种纳米孔结构，包括：金属矩阵；以及纳米孔，规则排列在该金属矩阵中，其中，所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔，以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质，包括：衬底；以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔，每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸，其中包含至少一种磁性材料，并且该多孔层为上述纳米孔结构。