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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103713263A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310445011.6
申请日：2013-09-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R31/36
CPC classification number: G01R31/382 , G01R31/367 , G01R31/374 , G01R31/3828 , G01R31/3842 , G01R31/389 , G01R31/392 , H01M2/348 , H01M10/443 , H01M10/48 , H01M10/486
Abstract: 提供了二次电池的状态评估设备、方法以及程序。一种二次电池的状态评估设备，该状态评估设备包括被配置为执行下述处理的至少一个处理器，该处理包括：基于二次电池的所测量的电压值和电流值来计算内阻；以及计算二次电池的内部温度；以及基于电流值来获得二次电池的充电及放电电荷量，或基于电流值和电压值来获得表示二次电池的充电率的充电状态；以及基于充电及放电电荷量与充电状态中的至少之一和内部温度来计算表示二次电池劣化后的状态的电池状态。
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公开(公告)号：CN103713263B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310445011.6
申请日：2013-09-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R31/36
CPC classification number: G01R31/382 , G01R31/367 , G01R31/374 , G01R31/3828 , G01R31/3842 , G01R31/389 , G01R31/392 , H01M2/348 , H01M10/443 , H01M10/48 , H01M10/486
Abstract: 提供了二次电池的状态评估设备、方法以及程序。一种二次电池的状态评估设备，该状态评估设备包括被配置为执行下述处理的至少一个处理器，该处理包括：基于二次电池的所测量的电压值和电流值来计算内阻；以及计算二次电池的内部温度；以及基于电流值来获得二次电池的充电及放电电荷量，或基于电流值和电压值来获得表示二次电池的充电率的充电状态；以及基于充电及放电电荷量与充电状态中的至少之一和内部温度来计算表示二次电池劣化后的状态的电池状态。
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公开(公告)号：CN1841772A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510096571.0
申请日：2005-08-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜16的防透膜被插置于硅衬底10与高k栅极绝缘膜18之间，由此防止高k栅极绝缘膜18被脱氧，同时在已经形成栅电极层20之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜16变成氮氧化硅膜17而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜18的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。
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公开(公告)号：CN1841704A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510091426.3
申请日：2005-08-11
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 池田和人
IPC: H01L21/822 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/823481
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其以制作的第二栅极绝缘膜的端部交叠在制作的第一栅极绝缘膜的端部上的方式进行图案化。然后，在第一和第二栅极绝缘膜彼此部分交叠的状态下，进行表面复原处理。
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