公开(公告)号：CN115467018A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211146075.1

申请日：2022-09-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 叶坤 ,  王守国 ,  高阳 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  陈学刚 ,  臧一鹏

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/64 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。

公开(公告)号：CN115467018B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202211146075.1

申请日：2022-09-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 叶坤 ,  王守国 ,  高阳 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  陈学刚 ,  臧一鹏

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/12 ,  C30B29/64 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。

公开(公告)号：CN120006390A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411891488.1

申请日：2024-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 陈学刚 ,  邱宇浩 ,  李壮 ,  王佳威 ,  于点儿 ,  郭子然

IPC: C30B29/26 ,  C30B29/64 ,  C30B23/02 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  G11B5/706 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851 ,  G11C11/16

Abstract: 本申请提供了一种高居里温度硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法，涉及硬磁氧化物薄膜材料技术领域，包括支撑层和薄膜层，支撑层基片于磁控溅射系统的沉积腔的基台上，以磁控溅射的方法,在支撑层单晶衬底上采用薄膜层靶材沉积薄膜；其技术要点为：通过采用射频磁控溅射的制备工艺,采用NiCo2O4靶材,制备出N iCo2O4薄膜,所得薄膜具有380K以上的居里温度,并且具有优秀的导电性,能够克服传统氧化物硬磁材料的局限性，在磁存储领域具有重要的应用潜力,能够为高密度、高速度和低功耗的磁存储器件的研发提供新的可能性，同时,该方法具有制备材料成本较低的优势,有利于实现大规模制备和工业化生产。

公开(公告)号：CN119980141A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411891213.8

申请日：2024-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 陈学刚 ,  蔡胜豪 ,  刘道龙 ,  石家赢 ,  吴鑫原

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  G16C20/10

Abstract: 本发明公开了一种增强超薄钴酸镍薄膜的居里温度的方法，涉及新型功能材料加工技术领域，包括以下步骤：S1、通过陶瓷烧结工艺制备NiCo2O4靶材和Co3O4靶材；S2、通过磁控溅射的方法在MgAl2O4(001)单晶衬底上沉积NiCo2O4/Co3O4薄膜；S3、测量生长的NiCo2O4/Co3O4薄膜的反常霍尔效应；其技术要点为：能够克服传统氧化物硬磁材料的局限性，通过采用射频磁控溅射的制备工艺，采用NiCo2O4和Co3O4靶材，制备出NiCo2O4/Co3O4薄膜，所得薄膜具有380K的居里温度，并且具有优秀的导电性，具有良好的使用前景。

公开(公告)号：CN116281888A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310147154.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高阳 ,  王守国 ,  叶坤 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  臧一鹏 ,  陈学刚

IPC: C01B19/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用。所述制备方法包括：碲源和铜源通过化学气相沉积，在衬底上制备得到所述Cu7Te4纳米片。本发明提供一种通过化学气相沉积的过程，外延生长二维Cu7Te4纳米片，利用化学气相沉积的方法实现了二维Cu7Te4纳米片的生长。可以与传统的二维半导体形成具有理想的金属‑半导体界面，有望解决基于二维材料在电子，光电子器件和自旋电子器件中的接触问题。