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公开(公告)号：CN115467018A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211146075.1
申请日：2022-09-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。
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公开(公告)号：CN116281888A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310147154.2
申请日：2023-02-15
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用。所述制备方法包括：碲源和铜源通过化学气相沉积，在衬底上制备得到所述Cu7Te4纳米片。本发明提供一种通过化学气相沉积的过程，外延生长二维Cu7Te4纳米片，利用化学气相沉积的方法实现了二维Cu7Te4纳米片的生长。可以与传统的二维半导体形成具有理想的金属‑半导体界面，有望解决基于二维材料在电子，光电子器件和自旋电子器件中的接触问题。
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公开(公告)号：CN115467018B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211146075.1
申请日：2022-09-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄卤化镍二维磁性材料及其制备方法和用途。所述超薄卤化镍二维磁性材料的形状为六边形或截角六边形，超薄卤化镍二维磁性材料为单晶结构，超薄卤化镍二维磁性材料的厚度≤100nm。制备方法包括以下步骤：将卤化镍粉末前驱体置于双温区上游端，将镍箔和衬底置于双温区的下游端，镍箔和衬底之间形成等距狭缝，利用载气携带卤化镍前驱体，通过化学气相沉积法，在衬底表面沉积得到超薄卤化镍二维磁性材料。本发明提供的卤化镍二维磁性材料，厚度可控，形状规整，保证了其表面平整，制备方法中采用狭缝中得到稳定的层流，同时结合化学气相沉积法，得到的产品可应用于微型化光电器件与自旋电子器件为一体的新型电子器件中。
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