公开(公告)号：CN115863276A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211651146.3

申请日：2022-12-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  李小慧 ,  赵长辉 ,  李惠 ,  姜明 ,  甘伟 ,  姜俊松

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。

公开(公告)号：CN119133253B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411620932.6

申请日：2024-11-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  田默涵 ,  姜俊松

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明提供一种具有多层栅极控制区的MOSFET结构及制备方法，包括：衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面覆盖有掺杂漂移层，所述掺杂漂移层表面设有栅极区及两个源极区，所述栅极区置于所述源极区之间；所述栅极区包括栅极控制区，所述栅极控制区包括依次层叠且浓度不同的第一栅极控制层、第二栅极控制层、第三栅极控制层、第四栅极控制层及第五栅极控制层，所述第一栅极控制层覆盖所述掺杂漂移层。通过设置栅极控制区，能够在器件导通时，使P‑shield层处于浮空状态，有助于改善载流子的注入和分布情况，一定程度上降低横向JFET电阻，减少存储的电荷量，进而使得器件导通电阻降低改善栅氧层的可靠性，器件耐击穿能力提升。

公开(公告)号：CN119224520A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411718781.8

申请日：2024-11-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 胡存刚 ,  唐曦 ,  徐以琛 ,  姜俊松 ,  谭琨 ,  曹文平

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及晶体管测试领域，特别是涉及一种功率器件阈值电压漂移测量方法及系统。本发明的功率器件阈值电压漂移测量方法，对功率器件连续施加若干个设定脉冲周期的特定脉冲信号，特定脉冲信号的脉冲波形包括栅应力阶段和测量阶段，栅应力阶段为对功率器件的栅极施加恒定栅应力，测量阶段为对功率器件的栅极施加栅极脉冲信号、对功率器件的漏极施加漏极脉冲信号；获得测量阶段的漏极电流‑栅极电压转移特性曲线；根据初始转移特性曲线提取初始电压；将阈值电压和初始电压值的差值作为阈值电压漂移值。本发明能够在保证快速测量的同时也兼具快速切换所带来的精准测量，很好地规避自发热效应给功率器件带来的影响。

公开(公告)号：CN119133253A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411620932.6

申请日：2024-11-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  田默涵 ,  姜俊松

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有多层栅极控制区的MOSFET结构及制备方法，包括：衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面覆盖有掺杂漂移层，所述掺杂漂移层表面设有栅极区及两个源极区，所述栅极区置于所述源极区之间；所述栅极区包括栅极控制区，所述栅极控制区包括依次层叠且浓度不同的第一栅极控制层、第二栅极控制层、第三栅极控制层、第四栅极控制层及第五栅极控制层，所述第一栅极控制层覆盖所述掺杂漂移层。通过设置栅极控制区，能够在器件导通时，使P‑shield层处于浮空状态，有助于改善载流子的注入和分布情况，一定程度上降低横向JFET电阻，减少存储的电荷量，进而使得器件导通电阻降低改善栅氧层的可靠性，器件耐击穿能力提升。