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公开(公告)号：CN102947417B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201180017258.7
申请日：2011-03-14
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/08 , C04B35/653 , C09K11/80 , H01L33/48
CPC classification number: C09K11/7716 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/652 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H05B33/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种即使增加Gd或Ce的比例以将荧光的峰波长调整至长波长侧，也可维持高辐射通量(radiant flux)的光转换用陶瓷复合体、其制造方法、及具备其的发光装置。一种光转换用陶瓷复合体，具有至少第1相及第2相的2者所构成的相的氧化物相连续且三维地相互络合而成的组织且由特定的分子式所表示的组成物所构成的凝固体，前述第1相为会发荧光的Ce所活化的Y3Al5O12相、该第2相为Al2O3相，该凝固体的截面的97面积％以上为前述第1相及前述第2相；或者是前述第1相为Gd及会发荧光的Ce所活化的Y3Al5O12相、该第2相为Al2O3相，前述凝固体的截面的97面积％以上为前述第1相及前述第2相。
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公开(公告)号：CN101090953B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200680001638.0
申请日：2006-01-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/082 , C09K11/08
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2006/60 , C09K11/7728
Abstract: 一种红色荧光材料，其中构成荧光材料的晶相是单斜的Eu-活化CaAlSiN3。一种为Eu-活化的CaAlSiN3粉末的红色荧光材料，该粉末通过激光散射颗粒尺寸分布分析在非粉碎状态下测得的平均颗粒直径为10μm或更小。一种发光装置，其包含蓝色发光元件、能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成黄光的黄色荧光材料、以及能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成红光的上述红色荧光材料。一种用于制备单斜的Eu活化CaAlSiN3的方法，该方法包括在含氮的气氛中于1400-2000℃下烧制包含Ca3N2、AlN、Si3N4和EuN的原材料粉末，所述Ca3N2、AlN和Si3N4给出的组成落在连接图1的组成图中下面四个点A到D的直线围成的区域中，即由下面的(Ca3N2∶AlN∶Si3N4)摩尔比定义的四个点：点A：(10∶70∶20)点B：(10∶65∶25)点C：(70∶23∶7)点D：(70∶22∶8)，并且EuN的含量为每100重量份Ca3N2、AlN和Si3N4的总量包含0.01-10重量份Eu。
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公开(公告)号：CN100505343C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200580036032.6
申请日：2005-10-20
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C09K11/7774 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/653 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C30B11/00 , C30B29/28 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/501 , H01L33/502
Abstract: 本发明的发光二极管元件是由光转换材料基板和在该光转换材料基板上形成的半导体层构成的发光二极管元件，其特征在于，上述光转换材料基板由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少二种以上的氧化物相连续地且三维地相互缠绕而形成的凝固体构成，该凝固体中的氧化物相中至少一种含有发荧光的金属元素氧化物；上述半导体层由多个化合物半导体层构成，至少具有发出可见光的发光层。提供与发光二极管形成用半导体在结晶结构上的共格性好、能够使缺陷少的良好的半导体层成膜、从在半导体层内形成的发光层能够得到效率好的发光，同时利用来自半导体层中的发光层的光也发出均匀的荧光、并且能够高效率地取出光的用于形成半导体的发光二极管用基板及使用该基板的没有色不匀的发光二极管元件。
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公开(公告)号：CN102753650B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201180009516.7
申请日：2011-03-01
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/50
Abstract: 本发明制造含锂的α-赛隆荧光体粒子，其将氮化硅或含氮硅化合物粉末、含AlN的铝源、Li源和Eu源混合，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在1500～1800℃下进行焙烧，得到成为起始材料的含锂的α-赛隆粉末，在其粉末中添加混合追加的锂源，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在低于上述焙烧温度的温度下，或在1100℃以上、不足1600℃下，进行再焙烧，制造含锂的α-赛隆荧光体粒子。本发明提供使发短波长的荧光的含Li(锂)的α-赛隆荧光体的光吸收率、荧光强度提高、利用其的照明器具及图像显示装置。
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公开(公告)号：CN102753650A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009516.7
申请日：2011-03-01
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L33/50
Abstract: 本发明制造含锂的α-赛隆荧光体粒子，其将氮化硅或含氮硅化合物粉末、含AlN的铝源、Li源和Eu源混合，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在1500～1800℃下进行焙烧，得到成为起始材料的含锂的α-赛隆粉末，在其粉末中添加混合追加的锂源，在常压的含氮的惰性气体气氛中，在低于上述焙烧温度的温度下，或在1100℃以上、不足1600℃下，进行再焙烧，制造含锂的α-赛隆荧光体粒子。本发明提供使发短波长的荧光的含Li(锂)的α-赛隆荧光体的光吸收率、荧光强度提高、利用其的照明器具及图像显示装置。
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公开(公告)号：CN101370908A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002600.X
申请日：2007-01-18
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/653 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/445 , C04B2235/76 , C04B2235/764 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , Y02B20/181 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷复合体光转换构件，该陶瓷复合体光转换构件是至少2个以上的氧化物相具有连续地而且三维地相互缠绕在一起的组织、该氧化物相中的至少1个是发荧光的相的凝固体，作为全体的组成由下式表示：x·AlO3/2－y·(a·YO3/2－b·GdO3/2－c·CeO2)(其中，x、y、a、b、c是摩尔分数，0.750＜x＜0.850、0＜b＜0.8、0＜c＜0.3，x+y＝1、a+b+c＝1)，或者x·AlO3/2－y·(a·YO3/2－c·CeO2)(其中，x、y、a、b、c是摩尔分数，0.750＜x＜0.850、0.125≤c＜0.3，x+y＝1、a+c＝1)。该陶瓷复合体光转换构件可以将峰值波长调节为540～580nm而发光，可以与蓝色发光元件组合起来构成高效率的白色发光装置。
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公开(公告)号：CN101821356A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111063.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0826 , C01P2002/30 , C01P2002/54 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/60 , C04B35/597 , C04B35/6268 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/767 , C09K11/7734 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种可用于荧光显示管(VFD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)等的更高亮度的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体。通过把粒径2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、与金属Ln的氧化物或通过热解能形成氧化物的前体物质以成为通式Si6-zAlzOzN8-z：Lnx(式中，0＜z＜4.2，Ln为Eu)的方式进行混合，在0.05MPa以上100MPa以下的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧，可得到纵横比的平均值为小于1.5的新型高亮度β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末。
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公开(公告)号：CN101555128A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910128022.5
申请日：2004-01-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/62665 , C04B35/652 , C04B35/653 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/445 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C09K11/0805 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 用于光转化的陶瓷复合材料，其是包括两种或者多种基体相的凝固体，基体相的各组分是两种或者多种选自金属氧化物和复氧化物中的氧化物，每种复氧化物由两种或者多种金属氧化物形成，其中，该基体相中至少有一种是含有已活化的氧化物的荧光体相。该凝固体优选的用单向凝固法获得。这种用于光转化的陶瓷复合材料在亮度，光混和性能，耐热性和抗紫外光性能上是优异的。
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公开(公告)号：CN101410732A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011141.1
申请日：2007-03-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: G02B5/02 , G02F1/13357 , H01L33/00 , H01S5/02
CPC classification number: G02B5/0278 , C04B35/117 , G02B5/0221 , G02F1/133606 , H01S5/005
Abstract: 本发明提供一种耐热性高、光吸收少、光稳定性和耐热性高的光散射体以及使用有该光散射体的背照光结构、人眼安全半导体激光器等。提供一种由选自单一金属氧化物和复合金属氧化物中的至少2种以上的氧化物相连续且三维立体地相互缠绕而形成的凝固体组成的透光散射体及使用有该光散射体的背照光结构、人眼安全半导体激光器。
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公开(公告)号：CN101374926A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003595.4
申请日：2007-02-01
Applicant: 宇部兴产株式会社
Inventor： 坂田信一
CPC classification number: C09K11/7734
Abstract: 本发明提供可以有利于工业地制造发光强度高的CaMgSi2O6∶Eu2+蓝色发光荧光体的方法。该制造方法具有以下工序：将钙源粉末、铕源粉末、镁源粉末、而且由二亚胺硅粉末等构成的硅源粉末以生成CaMgSi2O6∶Eu2+蓝色发光荧光体的比例混合，调制粉末混合物的工序；和使该粉末混合物在含氧气体的气氛气下、400～1000℃的温度下加热后，在还原性气氛气下、800～1500℃的温度下烧成的工序。
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