公开(公告)号：CN105487025A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510842978.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司

Inventor： 侯晓伟 ,  李菊萍 ,  郭俊杰 ,  倪大成 ,  王飞 ,  郑华雄 ,  郑良广

IPC: G01R33/04 ,  G01R33/00

CPC classification number: G01R33/04 ,  G01R33/0029

Abstract: 本发明公开了一种基于磁场积分方程法的磁通门瞬态分析方法，根据磁通门铁芯特点，建立基于磁场积分方程法的磁通门准静态分析模型，并引入激励电流频率的影响，建立可以对磁通门进行瞬态分析的数学模型。采用本发明建立的磁通门瞬态分析模型不仅准确地综合考虑了磁通门的结构、铁芯材料、激励电压、激励频率等因素的影响，而且准确地考虑了随着频率增大而增强的磁感应强度滞后现象，从而能够准确的对磁通门进行瞬态分析。

公开(公告)号：CN105606877A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610096240.5

申请日：2016-02-22

Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司

Inventor： 王文武 ,  郑民 ,  顾忠辉 ,  王飞 ,  郑华雄 ,  曹力 ,  侯晓伟 ,  李敏

IPC: G01R19/00

CPC classification number: G01R19/0092

Abstract: 本发明涉及一种闭环TMR电流传感器，包括有母排、印制电路板、连接在电路板上的TMR元件。TMR元件与母排相对并间隔设置，TMR元件集成有线圈，该TMR元件的等效电路包括惠斯通电桥和线圈，印制电路板中具有第一运放电路和第二运放电路，惠斯通电桥的两个输出端分别与第一运放电路的两个输入端相连接，第一运放电路的输出端与线圈的一端相连接，线圈的另一端则与第二运放电路的输入端相连接，第二运放电路的输出端则输出检测信号。该闭环TMR电流传感器中，TMR元件集成有线圈作为次边反馈线圈使用，从而实现原边待测电流和次边反馈电流的磁场平衡，对待测电流的测量更加精确。同时该电流传感器的体积小、重量轻、生产成本低。

公开(公告)号：CN105088153A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510504862.2

申请日：2015-08-17

Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司

Inventor： 侯晓伟 ,  郭俊杰 ,  倪大成 ,  王飞 ,  郑华雄 ,  郑良广 ,  李菊萍

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/165 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。