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公开(公告)号:CN105487025A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510842978.7
申请日:2015-11-27
Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司
CPC classification number: G01R33/04 , G01R33/0029
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场积分方程法的磁通门瞬态分析方法,根据磁通门铁芯特点,建立基于磁场积分方程法的磁通门准静态分析模型,并引入激励电流频率的影响,建立可以对磁通门进行瞬态分析的数学模型。采用本发明建立的磁通门瞬态分析模型不仅准确地综合考虑了磁通门的结构、铁芯材料、激励电压、激励频率等因素的影响,而且准确地考虑了随着频率增大而增强的磁感应强度滞后现象,从而能够准确的对磁通门进行瞬态分析。
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公开(公告)号:CN105092963A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510521308.5
申请日:2015-08-24
Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于MVB网络的列车能耗计量统计模块,包括低通滤波采样电路、放大电路、模数转换器、处理器、MVB通信单元、数据存储单元、实时时钟,列车上的电量传感器输出的电流信号通过低通滤波采样电路转换为电压信号,滤波后通过放大电路送至模数转换器,模数转换后输入处理器,处理器实时读取转换后的数字信号并根据算法进行能耗计量、计算、统计,计量统计后的能耗数据由数据存储单元存储,同时处理器通过MVB通信单元、MVB网络实时上传数据。能耗计量统计模块通过接入MVB网络实现车辆电能消耗数据的实时上传,使列车控制中心实时采取最节能的列车控制方式。
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公开(公告)号:CN105088153A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510504862.2
申请日:2015-08-17
Applicant: 宁波南车时代传感技术有限公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/165 , C23C14/022 , C23C14/34 , H01L21/02052 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 一种半导体硅锗薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:对单晶硅基片进行清洗,清洗后置于衬底台上;分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜;采用共溅法,在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜,测得所沉积薄膜的厚度,得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比,本发明的优点在于:采用偏置靶材离子束沉积,结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点,能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。
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