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公开(公告)号：CN100505124C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410089821.3
申请日：2004-11-01
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 冲电气工业株式会社 , 东京応化工业株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/06 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/008 , H01G4/1227 , H01G13/006 , H05K1/162 , H05K3/388 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49169
Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm-50nm。
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公开(公告)号：CN1612273A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410089821.3
申请日：2004-11-01
Applicant: 学校法人早稻田大学 , 冲电气工业株式会社 , 东京応化工业株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/06 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/008 , H01G4/1227 , H01G13/006 , H05K1/162 , H05K3/388 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49169
Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm－50nm。
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公开(公告)号：CN100587867C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200510087909.6
申请日：2005-07-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
CPC classification number: H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L28/65 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种薄膜电容器，在下部电极、高电介质膜、上部电极各层之间有紧密接合性、与其他层之间有高紧密接合性、且有优异的高频特性。在具有下部电极、在下部电极上设置的高电介质膜、以及在高电介质膜上设置的上部电极的薄膜电容器中，对上部电极、高电介质膜以及下部电极中的至少一者设有多个开口部。特别是对用绝缘膜覆盖的上部电极设有多个开口部。
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公开(公告)号：CN1744245A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510087909.6
申请日：2005-07-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
CPC classification number: H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L28/40 , H01L28/65 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种薄膜电容器，在下部电极、高电介质膜、上部电极各层之间有紧密接合性、与其他层之间有高紧密接合性、且有优异的高频特性。在具有下部电极、在下部电极上设置的高电介质膜、以及在高电介质膜上设置的上部电极的薄膜电容器中，对上部电极、高电介质膜以及下部电极中的至少一者设有多个开口部。特别是对用绝缘膜覆盖的上部电极设有多个开口部。
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