制造声波装置的方法和声波装置

    公开(公告)号:CN107547060B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201710499132.7

    申请日:2017-06-27

    Abstract: 制造声波装置的方法和声波装置。一种声波装置制造方法包括以下步骤:在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层;在压电基板上形成第一电介质膜,该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度,并且覆盖梳状电极和布线层,并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成;在第一电介质膜上形成第二电介质膜,该第二电介质膜在布线层上方具有开口;通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜,该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率,使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。

    制造声波装置的方法和声波装置

    公开(公告)号:CN107547060A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201710499132.7

    申请日:2017-06-27

    Abstract: 制造声波装置的方法和声波装置。一种声波装置制造方法包括以下步骤:在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层;在压电基板上形成第一电介质膜,该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度,并且覆盖梳状电极和布线层,并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成;在第一电介质膜上形成第二电介质膜,该第二电介质膜在布线层上方具有开口;通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜,该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率,使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。

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